超硬纯同位素10BP半导体微纳米线的制备.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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本发明属于磷化硼材料制备技术领域，具体涉及超硬纯同位素10BP半导体微纳米线的制备，本发明利用VLS生长机制成功合成了超长超硬同位素纯10BP微纳米线，克服了硼的高熔点与磷的低升华温度之间的热力学矛盾。具体是以镍粉为催化剂，以富含红磷和同位素的10B粉为前驱体，合成得到超长超硬10BP微纳米线。与在较低温度下合成的超硬材料相比，10BP微纳米线表现出优异的性能，其长度达到1.1cm，硬度相当高，达到了40GPa的超硬阈值(41GPa)。此外，将10BP微纳米线集成到探测器中，器件表现出良好的光响

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114314505 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111651342.6 (22)申请日 2021.12.30 (71)申请人中山大学