低关断电流拖尾的超级结IGBT及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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本发明公开了一种低关断电流拖尾的超级结IGBT及其制作方法。所述超级结IGBT包括集电区、漂移区、外延层和阱区；漂移区内分布有超级结结构，超级结结构包含柱状结构；阱区上部形成有发射极，外延层和阱区内分布有栅极，每一发射极环绕相应的一个栅极的上部电性隔离设置，每一栅极的下部进入外延层；集电区下端与集电极电性结合；集电区、阱区、柱状结构均是第一导电类型的，漂移区、外延层、发射极均是第二导电类型的；柱状结构下端还与第二导电类型的高掺杂区电接触，高掺杂区分布在漂移区内且与集电区无接触。本发明提供的超级结

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114335143 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111638577.1 (22)申请日 2021.12.29 (71)申请人深圳市千屹芯科技有限公司