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磁性薄膜及其制备方法、磁隧道结器件.pdfVIP

磁性薄膜及其制备方法、磁隧道结器件.pdf

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    本公开提供了一种磁性薄膜及其制备方法、磁隧道结器件，该薄膜包括：基片；平滑层，设置在基片上；钴基铁磁层，设置在平滑层上，具有体心立方结构，用于与平滑层晶格匹配；锰基反铁磁层，设置在钴基铁磁层上，用于诱导钴基铁磁层的垂直磁各向异性；覆盖层，设置在锰基反铁磁层上，用于保护磁性薄膜。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114335327 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111680187.0 (22)申请日 2021.12.30 (71)申请人 中国科学院半导体研究所

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