GB/T 41765-2022碳化硅单晶位错密度的测试方法.pdf

ICS77.040 CCSH21 中华人 民共和 国国家标准 / — GBT41765 2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法 Testmethodfordislocationdensitofmonocrstallinesiliconcarbide y y 2022-10-12发布 2023-05-01实施 国家市场监督管理总局 发 布 国家标准化管理委员会 / — GBT41765 2022 前 言 / — 《 : 》 本文件按照 标准化工作导则 第 部分 标准化文件的结构和起草规则 的规定 GBT1.1 2020 1 起草。 。 。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利 本文件的发布机构不承担识别专利的责任 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会( / )与全国半导体设备和材料标准 SACTC203 化技术委员会材料分技术委员会( / / )共同提出并归口。 SACTC203SC2 : 、 。 本文件起草单位 北京天科合达半导体股份有限公司 有色金属技术经济研究院有限责任公司 : 、 、 、 、 、 、 、 、 。 本文件主要起草人 彭同华 佘宗静 娄艳芳 王大军 赵宁 王波 郭钰 杨建 李素青 Ⅰ / — GBT41765 2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法 1 范围 本文件规定了碳化硅单晶位错密度的测试方法。 { } 、 。 本文件适用于晶面偏离 面 偏向 方向 的碳化硅单晶位错密度的测试 0001 1120 0°~8° 2 规范性引用文件