一种增强型TVS结构器件.pdfVIP

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2023-04-28 发布于四川
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一种增强型TVS结构器件.pdf

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本发明公开了一种增强型TVS结构器件，包括N型半导体衬底，所述N型半导体衬底的P型基区上开设有用于少子注入结构区，所述少子注入结构区用于注入少数载流子，所述少子注入结构区为点状阵列结构，通过在N型半导体衬底的P型基区上开设有用于少子注入结构区，即实现在常规TVS结构器件的基础上，增设了少子注入补偿结构机制，当高压浪涌信号经过本案中的TVS结构器件时，少子注入补偿结构会向P型基区内注入少数载流子，这部分少数载流子会经过P型基区漂移至N型半导体衬底区，降低TVS结构器件在导通时的整体导通电阻，从而降

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114203798 A (43)申请公布日 2022.03.18 (21)申请号 202111485765.5 (22)申请日 2021.12.07 (71)申请人富芯微电子有限公司地