一种嵌入式间接加热型Ge-Sb-Te基相变射频开关及其制备方法.pdfVIP

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2023-04-28 发布于北京
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一种嵌入式间接加热型Ge-Sb-Te基相变射频开关及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种嵌入式间接加热型Ge‑Sb‑Te基相变射频开关及其制备方法，所述的射频相变开关的加热电极嵌入衬底上表面，后依次沉积隔热层、Ge‑Sb‑Te基相变层和射频传输层，每层的图案化由电子束光刻套刻工艺实现，其中Ge‑Sb‑Te基相变层依靠脉冲激光沉积技术实现，嵌入式加热电极通过反应离子刻蚀工艺和电子束蒸发工艺结合来实现。相变射频开关通过脉冲加热使相变材料发生晶态非晶态的转变的同时电阻率发生巨大的变化来实现射频传输的开关。本发明实施例中的相变射频开关的加热方式是嵌入式间接加热，通过使用更厚

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114188475 A (43)申请公布日 2022.03.15 (21)申请号 202111390963.3 (22)申请日 2021.11.23 (71)申请人华东师范大学地址