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本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器,涉及半导体芯片技术领域,旨在解决3DNAND中台阶结构和栅线隔槽形成难度较高的问题。半导体结构包括衬底、第一层叠结构、第二层叠结构、第一导电柱和第二导电柱。第二层叠结构至少包括依次设置的虚拟栅线层、第二绝缘层、选择栅线层和第三绝缘层;虚拟栅线层和选择栅线层的边缘延伸至过渡区;第一导电柱穿过位于第三绝缘层,与选择栅线层电连接;第二导电柱穿过第三绝缘层、选择栅线层和第二绝缘层,与虚拟栅线层电连接。上述半导体结构应用于三维存储器中,以实现数据的读取
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114023749 A
(43)申请公布日 2022.02.08
(21)申请号 202111197644.0 H01L 27/11582 (2017.01)
(22)申请日
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