半导体器件结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-04-24 发布于四川
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半导体器件结构及其制备方法.pdf

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本发明半导体器件结构及其制备方法，器件结构包括：半导体衬底、形成在半导体衬底中的有源区和隔离结构、栅极结构以及虚拟结构，虚拟结构至少位于相邻有源区之间的隔离结构上，并与栅极结构之间具有间距。本发明通过在相邻有源区之间的隔离结构上制备虚拟结构，该虚拟结构在隔离结构上的投影位于源极掺杂区之间或漏极掺杂区之间，并可以进一步延伸至相邻的源极掺杂区或漏极掺杂区上方形成交叠区域，可以阻挡部分离子注入，有效提高位线存储器的击穿电压，降低击穿风险，虚拟结构可以与栅极结构同时制备，不需要改变任何工艺条件和步骤，工

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114023755 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111195073.7 H01L 27/11519 (2017.01)