超级结器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-04-24 发布于四川
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超级结器件及其制造方法.pdf

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本发明公开了一种超级结器件，器件单元区的栅极结构为沟槽栅，栅极沟槽的深度大于P型体区的结深；栅极沟槽的顶部表面和超结单元的顶部表面相平，多晶硅栅的顶部表面被回刻到低于栅极沟槽的顶部表面；源区由对多晶硅栅顶部的栅极沟槽侧面和栅极沟槽外的P型体区表面进行离子注入形成的N+掺杂区组成；位于源区底部且被多晶硅栅侧面覆盖的体区的表面用于形成沟道，通过控制多晶硅栅的顶部表面的位置控制沟道的长度并控制栅源电容。本发明还公开了一种超级结器件的制造方法。本发明能使沟道长度的调节独立于体区的深度调节，从而能通过调节

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114023821 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111219427.7 (22)申请日 2021.10.20 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司