基于非极性GaN的肖特基二极管及其制备方法.pdfVIP

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2023-04-23 发布于四川
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基于非极性GaN的肖特基二极管及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种基于非极性GaN的肖特基二极管及其制备方法，该二极管包括：GaN衬底，位于GaN衬底上的竖立多沟道层，位于竖立多沟道层上的GaN帽层，位于GaN衬底背面的欧姆接触电极，以及位于GaN帽层上的肖特基接触电极；其中，GaN衬底为非极性n型GaN体衬底；竖立多沟道层包括若干u‑GaN沟道层和n‑AlGaN势垒层，u‑GaN沟道层和n‑AlGaN势垒层沿水平方向间隔排列，以形成垂直于GaN衬底的并联多沟道结构。本发明提高了器件的晶体质量，抑制了漏电通道的产生、增大了工作电流，可用于高频、

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113964192 A (43)申请公布日 2022.01.21 (21)申请号 202111039156.7 H01L 21/329 (2006.01) (22)申请日