一种PN结基极耦合的氮化镓肖特基二极管及制备方法.pdfVIP

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2023-04-23 发布于四川
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一种PN结基极耦合的氮化镓肖特基二极管及制备方法.pdf

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本发明涉及一种PN结基极耦合的氮化镓肖特基二极管及制备方法，肖特基二极管包括衬底层、外延层、欧姆电极、阳极和阴极，其中，外延层位于衬底层上，外延层包括缓冲层、接触层、漂移层和再生长势垒层，缓冲层、接触层、漂移层依次层叠，再生长势垒层设置在漂移层的侧面和部分上表面，再生长势垒层与漂移层之间形成PN结；欧姆电极位于再生长势垒层上；阳极位于漂移层和再生长势垒层上，且覆盖欧姆电极；阴极位于接触层上。该肖特基二极管中再生长势垒层与漂移层之间形成PN结，可以耗尽N型材料中的侧壁电子，起到调制电场的作用，降低

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113964181 A (43)申请公布日 2022.01.21 (21)申请号 202111046028.5 H01L 21/329 (2006.01) (22)申请日