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本发明公开一种基于NANDFlash的坏块管理方法,本方法将两种坏块管理策略结合起来,根据SSD的不同Die上的坏块情况来采用不同的坏块管理方式对坏块进行管理。在SSD的生命周期初期,这时的坏块较少,宜采用替换策略的坏块管理方式,随着时间的推移,坏块变多,此时宜采用略过策略管理坏块。在整个SSD生命周期中统计每一条Die上坏块个数,根据每一条Die上坏块个数来判断调整坏块管理方式。将两种坏块管理方式的优势结合起来,保证写入并行度的同时还能避免因某一个Die上坏块过多造成的整个SSD可使用空间变
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113921071 A (43)申请公布日 2022.01.11 (21)申请号 202111157900.3 (22)申请日 2021.09.30 (71)申请人 山东华芯半导体有限公司
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