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2023-04-10 发布于四川
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半导体结构.pdf

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本实用新型提供一种半导体结构，所述半导体结构包括支撑衬底、重新布线层、封装结构、介质层及金属层。其中，所述重新布线层位于所述支撑衬底上；所述封装结构位于所述重新布线层上，所述封装结构包括金属柱及正梯形塑封层，且所述金属柱的第一端与所述重新布线层电连接，所述正梯形塑封层显露所述金属柱的第二端；所述介质层位于所述正梯形塑封层的表面；所述金属层位于所述介质层上，且所述金属层与所述金属柱的第二端电连接。本实用新型通过具有倾斜侧面的所述正梯形塑封层，可形成均匀分布的所述金属层，提高产品质量，提高良率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215496631 U (45)授权公告日 2022.01.11 (21)申请号 202122101071.9 (ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 (22)申请日 2021