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本实用新型公开了一种亚纳米级高精度写场拼接光刻机系统,包括机体里的台面,台面上方设有电子显微镜、至少一台纳米触点传感器及晶圆移动工作台;电子显微镜上设有电子束镜筒;晶圆工作台上设有用于拖动其前、后和/或左、右和/或上、下移动以及角度变化的数控驱动装置。通过对曝光前后,晶园移动前后,写场的位置坐标比较,计算出拼接的偏差,以负反馈控制方式进行晶圆的高精度光刻拼接,克服了现有非原位、远离写场、盲人式开环光刻拼接技术受晶园工作台机械运动精度、电子束长时间漂移的影响而拼接精度差的缺陷,突破了现有技术严重依
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212873186 U (45)授权公告日 2021.04.02 (21)申请号 202021078739.1 (22)申请日 2020.06.11 (73)专利权人 百及纳米科技(上海)有限公司
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