一种高功率半导体边缘封口机构.pdfVIP

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2023-02-23 发布于四川
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一种高功率半导体边缘封口机构.pdf

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本实用新型适用于半导体边缘封口领域，提供了一种高功率半导体边缘封口机构，包括边缘封口机构主壳体、旋转顶盖、操作平台以及凹形填充口，其特征在于：边缘封口机构主壳体的正端面设有操作平台，操作平台上设有显示屏，操作平台上还设有封口启动开关和挡位调节旋钮，边缘封口机构主壳体的内部还设有分隔板，安装底座上安装有驱动电机，真空抽吸泵装置的抽吸导管和边缘封口机构主壳体连接。本实用新型通过设置有半导体保护结构可以在半导体边缘处封口时起到保护的作用，可以有效防止半导体这样易损的电子元件在封口时遭到损害；本实用新型

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212810248 U (45)授权公告日 2021.03.26 (21)申请号 202022132666.6 (22)申请日 2020.09.25 (73)专利权人深