一种物理气相溅镀腔体.pdfVIP

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2023-02-23 发布于四川
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本实用新型公开了一种物理气相溅镀腔体，包括一反应室；一靶材，设置于反应室顶部；一磁场发生器，设置于靶材上方；一晶片承载基座，设置于反应室底部，晶片承载基座的上表面为晶片承载面；一晶片，设置于晶片承载基座的承载面上，且与靶材相对；一环形晶片旁遮板，环绕晶片外边缘设置；一环形防镀遮板，设置于环形晶片旁遮板上方，遮挡环形晶片旁遮板。本实用新型通过在环形晶片旁遮板上方增设环形防镀遮板，可以把环形晶片盘遮板上的大部分的热以及金属薄膜都承接过来,使得环形晶片旁遮板不会发生镀膜金属流动到晶片边缘造成黏片的问题

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212800522 U (45)授权公告日 2021.03.26 (21)申请号 202021688662.X (22)申请日 2020.08.13 (73)专利权人鑫天虹（厦门）科技有限公司