终结端结构及应用其的JFET器件、沟槽MOS器件和沟槽二极管.pdfVIP

下载本文档

0
0
约8.47千字
约 8页
2023-02-16 发布于四川
举报
版权申诉

终结端结构及应用其的JFET器件、沟槽MOS器件和沟槽二极管.pdf

1、本文档共8页，其中可免费阅读4页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本实用新型公开了一种终结端结构及应用其的JFET器件、沟槽MOS器件和沟槽二极管，其中终结端结构包括：碳化硅衬底(001)，所述碳化硅衬底(001)具有第一导电类型；碳化硅衬底(001)上生长的碳化硅外延(002)，在碳化硅外延(002)上前半部分设置结终端延申区的刻蚀(005)和沟槽底部第二导电类型注入(006)，后半部分设置刻蚀的多个沟槽(003)，在所述沟槽(003)中注入的第二导电类型注入区(004)。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212625589 U (45)授权公告日 2021.02.26 (21)申请号 202020811527.3 (22)申请日 2020.05.15 (73)专利权人派恩杰半导体（杭州）有限公司