共源共栅氮化镓场效电晶体的封装结构.pdfVIP

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2023-02-14 发布于四川
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共源共栅氮化镓场效电晶体的封装结构.pdf

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一种共源共栅氮化镓场效电晶体的封装结构，包括有一导线架，此导线架上直接设置有一氮化镓场效电晶体及一金属氧化物半导体。氮化镓场效电晶体包括有一直接设置于导线架上的第一基体，此第一基体的表侧具有一第一漏极、一第一栅极及一第一源极，其中第一漏极及第一栅极分别电性连接至导线架。金属氧化物半导体包括有一直接设于导线架上的第二基体，此第二基体的表侧具有一第二漏极、一第二栅极及一第二源极，其中第二漏极与第一源极直接电性连接，且第二栅极及第二源极分别电性连接至导线架。本实用新型使用水平式半导体，使半导体的漏极与

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212542436 U (45)授权公告日 2021.02.12 (21)申请号 202021334329.9 (22)申请日 2020.07.09 (73)专利权人鸿镓科技股份有限公司