一种CMOS工艺低压检测电路结构.pdfVIP

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2023-02-14 发布于四川
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一种CMOS工艺低压检测电路结构.pdf

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本实用新型涉及一种CMOS工艺低压检测电路结构，包括：电压采样电路基准电压产生电路、电压比较电路、施密特触发电路、采样电压控制电路；所述电压采样电路提供可被采样的第一电压和第二电压，该第一电压小于第二电压；电压采样电路的第一电压和第二电压端口与采样控制电路连接，所述采样控制电路的控制端口与施密特触发电路输出端口连接，施密特触发电路的输出信号控制所述采样电路采样第一电压或第二电压；电压比较电路的参考端口与基准电压产生电路的输出端口连接，采样电压端口与采样控制电路的输出端口连接，所述电压比较电路将上

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212540500 U (45)授权公告日 2021.02.12 (21)申请号 201922461904.5 (22)申请日 2019.12.31 (73)专利权人苏州锐控微电子有限公司