半导体三极管放大电路基础.pptxVIP

第2章 半导体三极管放大电路基础;第2章 半导体三极管放大电路基础;§2.1 三极管工作原理;;;; 为使发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备的条件是： a.发射结加正向电压(正向偏置): NPN管：Vbe0； PNP管：Vbe0  b.集电结加反向电压(反向偏置): NPN管：Vbc0；PNP管：Vbc0;RC;;IB=IEP+IBN-ICBO?IBN;N; IE= IEN+ IEP 且有IENIEP IEN=ICN+ IBN 且有IEN IBN ，ICNIBN ;ICN与IEN之比称为共基直流电流放大倍数;IC=ICN+ ICBO ;b;;BJT在电压放大电路中的应用举例 ;2.1.3 三极管的V-I特性曲线;1、输入特性：;;IC(mA );IC(mA );输出特性三个区域的特点:;例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k?， 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？;例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k?， 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？;USB =5V时:;二、共基极连接时的V-I特性曲线;1、输入特性：;;2.1.4 三极管的主要参数;例：UCE=6V时：IB = 40 ?A, IC =1.5 mA； IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。;（1）集-基极反向饱和电流ICBO;;（1）集电极最大电流ICM;（3） 集电极最大允许功耗PCM;4、频率参数：; ;双极型三极管的参数;2.1.5 温度对三极管参数及性能的影响;2、温度对BJT特性曲线的影响：;电子学中放大的目的是将微弱的变化信号放大成较大的信号。这里所讲的主要是电压放大电路。;三极管放大电路有三种形式;;直流通道和交流通道 ;1、静态——对直流信号（只考虑+VCC）;2、动态——对交流信号(输入信号ui);ΔVI;符号规定:;;;;;;开路;; 放大器的性能指标：;2、输入电阻ri;问题：Au 和 Aus 的关系如何？;3、输出电阻ro;戴维南定理：;如何确定电路的输出电阻ro ？;方法二：测量。;4、通频带;2.3 图解法分析法;;(IBQ,UBEQ) 和( ICQ,UCEQ )分别对应于输入输出特性曲线上的一个点称为静态工作点（Q点）。;1．近似估算Q点: ;IC;与输出特性的交点就是Q点;IC;各点波形;交流负载线:;iC 和 uCE是全量，与交流量ic和uce有如下关系;交流负载线的作法;IC;图解法的步骤：;实现放大的条件;如何???断一个电路是否能实现放大？;2.3.3 静态工作点对波形失真的影响:;;iC;iC; iC ? ;4、图解分析法的适用范围:;RB;2.4.1 三极管的h参数及其等效电路;;ib;iC;iC;iB;（4） hre ：;2.4.2 用h参数小信号模型分析基本放大器;解：;RB;;ib;vs;（1）静态分析：;+VCC;;§2.5 工作点稳定的放大电路; 温度变化对工作点的影响：;二、温度对? 值及ICEO的影响:;小结：;;T;;;;IC与温度无关。;例：已知?=50， VCC=12V， RB1=7.5k?， RB2=2.5k?， RC=2k?， RE=1k?， 求该电路的静态工作点。;uo;;;去掉 CE 后的交流通路和微变等效电路：;;RB1;I1;RB1;交流通路：;;含有双电源的射极偏置电路;交流通路：;;含有恒流源的射极偏置电路;§2.6 共集电极放大器和共基极放大器;一、静态分析：;;;1. 电压放大倍数;1.;2. 输入电阻;3. 输出电阻：;一般：;RB;RB;RB=570k?，RE=5.6k?，RL=5.6k?，?=100，VCC=12V;; RL=1k?时;射极输出器的使用;§2.6.2 共基极放大器;一、静态分析：;二、动态分析：;;1. 电压放大倍数：;Vo;§2.6.3 BJT放大电路三种组态的比较;总结：放大电路的分析方法;（一） BJT的结构与工作原理:;内部结构： 发射区：掺杂浓度较高 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 为使发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备的外部条件是：