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光刻技术新发展 ——浸没式光刻技术成为 半导体产业新宠 背景 根据国际半导体技术蓝图ITRS2005，半导体制造技术将在2007 年达到65nm 节点，到2010年达到45nm 节点。光刻机的曝光波长已经从436nm(g线)，365nm(i线)，248nm(KrF)减小到目前的193nm(ArF)。光学光刻技术先后经历了从接触式光刻、接近式光刻、全硅片扫描投影式光刻、分步重复投影式光刻到目前普遍采用的步进扫描投影式光刻的发展历程。 目前，193nm 的ArF 步进扫描投影光刻机已经广泛用于90nm 工艺制造，其数值孔径和工艺因子K1即将接近理论极限，
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