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2022-09-01 发布于上海
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3.2 体微加工技术;集成电路工艺回顾;典型MEMS器件;1 典型MEMS制造方法简介;典型MEMS制造方法;2 MEMS光刻;深槽光刻;深槽光刻;厚胶光刻;双面光刻;3 体微加工技术;概述;湿法刻蚀;硅体的各向同性刻蚀;湿法刻蚀;湿法刻蚀;湿法刻蚀;湿法刻蚀;湿法刻蚀;湿法刻蚀; 各向异性腐蚀机理：在有些溶液中单晶硅的腐蚀速率取决于晶体取向，即在某种晶体取向上硅的腐蚀速率非常快，而在其他方向上腐蚀速率又非常慢。最常用的（100）/（111）腐蚀速率比最大的是KOH腐蚀液。用KOH腐蚀液腐蚀单晶硅晶体其在三个常用晶面方向上的腐蚀速率情况是（100）（110）（111）。（100）/（111）的最大腐蚀速率可达400?1 （111）晶面是KOH刻蚀的阻挡面，即刻蚀遇到（111）就停止下来，形成各向异性刻蚀。;湿法刻蚀小结;干法刻蚀;干法刻蚀具有分辨率高、各向异性腐蚀能力强、腐蚀的选择比大，以及能进行自动化操作等优点。因此，干法刻蚀在体微加工中将逐渐占有重要地位。干法刻蚀的过程可分为以下几个步骤：（1）腐蚀性气体粒子的产生；（2）粒子向衬底的传输（3）衬底表面的腐蚀；（4）腐蚀反映物的排除。干法腐蚀的种类有物理方法：离子腐蚀（溅射）Ion Etching(IE),离子束腐蚀Ion Beam Etching(IBE)；化学方法：等离子体腐蚀 Plasma Etching(PE);;物理腐蚀技术（1）离子腐蚀（Ion Etching ，IE） ;（2）离子束腐蚀（Ion Beam Etching，IBE）离子束腐蚀是一种利用惰性离子进行腐蚀的物理腐蚀。在离子束腐蚀中，被腐蚀的衬底和产生离子的等离子区在空间是分离的，如图4.13所示。 ;化学腐蚀技术化学腐蚀高选择性+物理腐蚀所具有的各向异性（1）等离子体腐蚀（Plasma Etcing, PE）（2）反应离子腐蚀（Reactive Ion Etching,，RIE）（3）反应离子束腐蚀 ;总结;谢谢您的观看！