MOSFET常见失效的机理讨论分析课件.pptx

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2022-07-29 发布于四川
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MOSFET封装常见失效的机理讨论;I. DVDS ;;机理讨论1-最高结温的限制;机理2－应力裂纹有学者利用计算机有限元模拟了器件的散热过程。;空气为热的不良导体空洞的存在热集中局部温度升高气体产生收缩和膨胀应力应力集中热集中 ;II short ;内因－芯片强度;引起应力集中的原因;III. 雪崩击穿;三极管的工作原理;三极管的输出特性曲线;在严峻的动态条件下，du/dt通过相应电容引起的横向电流有可能足够大。此时这个寄生的双极性晶体管就会起动，有可能给MOSFET 带来损坏。 ;;二极管的工作原理;;Avalanche multiplication;正常状态下的MOSFET特性;Mosfet的截止状态：Vgs=0, Vds0,P基区与N漂移区之间P-N结反偏，漏源（DS）之间无电流通过。 Mosfet的导通状态：Vgs0, 当VgsVth时P区反型，P-N结消失，漏源导通。 ;Id-Vds curve ;MOSFET 雪崩击穿的微观分析;MOSFET 雪崩击穿的微观分析－Cont’;Rdson ;Rg-distributed resistence of gate ;Rg测试的基本原理;; To be continued……