GaN ITO工艺流程简介.ppt

整理课件 整理课件 整理课件 GaN芯片工艺流程 生产二部 整理课件 GaN ITO芯片前道流程 晶片投入激光刻号 ITO蒸镀前清洗 ITO蒸镀 P-Mesa光罩作业 ITO蚀刻 P-Mesa干蚀刻 干蚀刻后光阻去除 ITO熔合 CVD Pad 光罩作业 Metal蒸镀前 蚀刻 Metal 蒸镀 金属剥离 温筛 ITO光罩作业 ITO蚀刻 整理课件 外延片 ITO 光刻胶 ICP Etching ITO蚀刻 光刻胶 ITO蚀刻 ITO熔合 SiO2 光刻胶 Metal蒸镀 P电极 N电极 GaN芯片前道流程演示图 整理课件 GaN ITO芯片后道流程 前道 测试抽测 判定（A/B/C) 研磨（衬底减薄） 划裂 测试mapping 分选 目检正检 打标签 分类 入库 整理课件 GaN芯片后道流程演示图 整理课件 GaN产品分类 GaN 蓝光 Blue 绿光 Green 一、按颜色分 二、按尺寸分 10B 10F 12C 13A 13K 14A 16B 20A 24A 40A…… 整理课件 8mil 10mil GaN芯片图形 整理课件 GaN LED 分选片命名规则 整理课件 GaN规格的定义 表示WLD（波长）的起始主波长 表示WLD（波长）的跨度 表示IV（光强）的跨度 表示VF(电压)的跨度 A B C D 1 E F … 2 3 4 5 6 … 波长跨度代码对照表 光强代码对照表 B 20-30 C 30-40 D 40-50 E 50-70 F 70-100 G H 100-130 130-160 I J 160-200 200-240 K 240-300 L 300-360 E1 50-60 E2 60-70 F1 70-80 F2 80-100 462 C E X 规格 正向电压的范围 X：3.0-3.4 Y：3.2-3.6 整理课件 整理课件 * *