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ESD模型和测试标准 ppt课件 ESD模型和测试标准 ESD模型和测试标准 ESD模型和测试标准 ESD模型和测试标准 ESD模型和测试标准 ESD模型和测试标准 ESD模型和测试标准 ESD模型和测试标准 System level(系统级) is also named as on-board level (电路板级) 。主要是接触式放电和非接触式放电 8kV air discharge?? 4kV contact mode for most products?? 6kV contact for medical devices?? ESD模型和测试标准 ESD模型和测试标准 ESD模型和测试标准 ESD模型和测试标准 ESD模型和测试标准 ESD模型和测试标准 ESD模型和测试标准 ESD模型和测试标准 ESD模型和测试标准 ESD模型和测试标准 所有管脚（一次一根）对（第X组）接地管脚（接地） 所有管脚（一次一根）对（第y组）电源管脚（接地） 所有I/O管脚（一次一根）对所有其他I/O管脚（接地） NC管脚 ——依美军标MIL-883不测试 ——依民标ESDA/JEDEC/AEC均要求测试 在每一测试模式下，IC的该测试脚先被打上(Zap)某一ESD电压，而且在同一ESD电压下，IC的该测试脚必须要被Zap三次，每次Zap之间的时间间隔约一秒钟，Zap三次之后再观看该测试脚是否己被ESD所损坏，若IC尚未被损坏则调升ESD的电压，再Zap三次。此ESD电压由小而逐渐增大，如此重复下去，直到该IC脚己被ESD所损坏，此时造成IC该测试脚损坏的ESD测试电压称为『静电放电故障临界电压 (ESD failure threshold)』。 ESD模型和测试标准 如果每次调升的ESD测试电压调幅太小，则测试到IC脚损坏要经过多次的ESD放电，增长测试时间; 若每次调升的ESD测试电压太大，则难以较精确测出该IC脚的ESD耐压能力。 规定： 正负极性均要测试 从低压测到高压，起始电压为70%的平均ESD failure threshold (VESD) 步进当小于1000V时步进50V(100V)，大于1000V时步进100V(250V, 500V) 可以是一个管脚步进测量或者所有管脚扫描测量 ESD模型和测试标准 最短间隔时间和测试次数 上述测试的方法在MM/CDM中都是相同的 每一脚都有ESD failure threshold。此颗IC的ESD failure threshold定义为所有IC脚中ESD failure threshold最小的那个电压值，因此，该颗IC的ESD failure threshold仅达500V。 IC制程特性有时会有小幅的(10%) 漂移，所以在相同批次IC中随机取样至少大于5颗。 ESD模型和测试标准 ppt课件 ESD模型和测试标准 ppt课件 ESD模型和测试标准 1、ESD模型分类 2、HBM和MM测试方法标准 3、 CDM模型和测试方法标准 4、 EIC模型和测试方法标准 5、 TLP及其测试方法 6、拴锁测试 7、 I-V测试 8、标准介绍 ESD模型和测试标准 因ESD产生的原因及其对集成电路放电的方式不同，经过统计，ESD放电模型分下列四类: (1) 人体放电模式 (Human-Body Model, HBM) (2) 机器放电模式 (Machine Model, MM) (3) 组件充电模式 (Charged-Device Model, CDM) (4) 电场感应模式 (Field-Induced Model, FIM) 另外还有两个测试模型： (5)对于系统级产品测试的IEC电子枪空气放电模式 (6)对于研究设计用的TLP模型 ESD模型和测试标准 人体放电模式(HBM)的ESD是指因人体在地上走动磨擦或其它因素在人体上已累积了静电，当此人去碰触到IC时，人体上的静电便会经由IC的脚(pin)而进入IC内，再经由IC放电到地去，如图2.1-1(a)所示。此放电的过程会在短到几百毫微秒(ns)的时 间内产生数安培的瞬间放电电流，此电流会把IC内的组件 给烧毁。 不同HBM静电电压相对产生的瞬间放电电流与时间的关系 显示于图2.1-1(b)。对一般商用IC的2-KV ESD放电电压而言，其瞬间放电电流的尖峰值大约是1.33 安培。 ESD模型和测试标准 有关于HBM的ESD已有工业测试的标准： 图显示工业标准 (MIL-STD-883C method 3015.7)的等效电路图，其中人体的 等效电容定为100pF，人体的等效放电电阻定为1.5KΩ。 表是国际电子工业标准(EIA/JEDEC STANDARD) 对人体放电模式订定测试规