半导体器件的基础知识.pptVIP

　　② 若为 NPN 型三极管，将黑红表笔分别接另两个引脚，用手指捏住基极和假设的集电极，观察表针摆动。再将假设的集电极和发射极互换，按上述方法重测。比较两次表针摆幅，摆幅较大的一次黑表笔所接的管脚为集电极，红表笔所接的管脚为发射极。 　　③ 若为 PNP 型三极管，只要将红表笔和黑表笔对换再按上述方法测试即可。 1.2　半导体三极管 第三十一页，共49页 　　2．判断三极管的好坏 　　（1）万用表置于“R ? 1 k ”挡或 “R ? 100”挡位。 　　（2）方法：分别测量三极管集电结与发射结的正向电阻和反向电阻，只要有一个 PN 结的正、反向电阻异常，就可判断三极管已坏。 1.2　半导体三极管 第三十二页，共49页 　　3．判断三极管 ? 的大小 　　将两个 NPN 管接入判断三极管 C 脚和 E 脚的测试电路，如图所示，万用表显示阻值小的管子的 ? 值大。 　　4．判断三极管 ICEO 的大小 　　以 NPN 型为例，用万用表测试 C、E 间的阻值，阻值越大，表示 ICEO 越小。 1.2　半导体三极管 第三十三页，共49页 　　1．片状三极管的封装 　　小功率三极管：额定功率在 100 mW ~ 200 mW 的小功率三极管，一般采用 SOT-23形式封装。如图所示。 　　1 — 基极，2 — 发射极，3 — 集电极。 1.2.6　片状三极管 1.2　半导体三极管 第三十四页，共49页 　　大功率三极管：额定功率在 1 W ~ 1.5 W 的大功率三极管，一般采用 SOT-89 形式封装 。 　　1—基极，3—发射极，2、4（内部连接在一起）—集电极。 1.2　半导体三极管 第三十五页，共49页 　 　 　 　 半导体器件的基础知识 第一页，共49页 1.1.1　什么是半导体 　　2 ．载流子：半导体中，携带电荷参与导电的粒子。 自由电子：带负电荷 空穴：带与自由电子等量的正电荷 均可运载电荷——载流子 　　特性：在外电场作用下，载流子都可以做定向移动，形成电流。 　　1．半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间,且随着掺入杂质、输入电压（电流）、温度和光照条件的不同而发生很大变化，人们把这一类物质称为半导体。 1.1　半导体二极管 第二页，共49页 　　3．N 型半导体：主要靠电子导电的半导体。 　　即：电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 　　4．P 型半导体：主要靠空穴导电的半导体。 1.1.2　PN 结 　　即：电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 　　PN 结：经过特殊的工艺加工，将 P 型半导体和 N 型半导体紧密地结合在一起，则在两种半导体的交界面就会出现一个特殊的接触面，称为 PN 结。 　　PN 结具有单向导电特性。 1.1　半导体二极管 第三页，共49页 　　（1）正向导通：电源正极接 P 型半导体，负极接 N 型半导体，电流大。 　　（2）反向截止：电源正极接 N 型半导体，负极接 P 型半导体，电流小。 　　结论：PN 结加正向电压时导通，加反向电压时截止，这种特性称为 PN 结的单向导电性。 1.1　半导体二极管 第四页，共49页 　　如果反向电流未超过允许值，反向电压撤除后，PN 结仍能恢复单向导电性。 　　反向击穿：PN 结两端外加的反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增大，称为 PN 结的反向击穿。 　　热击穿：若反向电流增大并超过允许值，会使 PN 结烧坏，称为热击穿。 　　结电容：PN 结存在着电容，该电容为 PN 结的结电容。 1.1　半导体二极管 第五页，共49页 1.1.3　半导体二极管 　　1．半导体二极管的结构和符号 　　利用 PN 结的单向导电性，可以用来制造一种半导体器件 —— 半导体二极管。 　　箭头表示正向导通电流的方向。 　　电路符号如图所示。 1.1　半导体二极管 第六页，共49页 　　由于管芯结构不同，二极管又分为点接触型（如图 a）、面接触型（如图 b）和平面型（如图 c）。 　　点接触型：PN 结接触面小，适宜在小电流状态下使用。 　　面接触型、平面型：PN 结接触面大，截流量大，适合于大电流场合中使用。 1.1　半导体二极管 第七页，共49页 　　2．二极管的特性 　　伏安特性：二极管的导电性能由加在二极管两端的电压和流过二极管的电流来决定，这两者之间的关系称为二极管的伏安特性。硅二极管的伏安特性曲线如图所示。 　　特性曲线 1.1　半导体二极管 第八页，共49页 　　 ② 正向导通：当外加电压大于死区电压后，电流随电压增大而急剧增大，二极管导通。 　　① 死区：当正向电压较小时，正向电流极小，二极管呈现很大的电阻，如 OA 段，通常把这个范围称为死区。 　　死区电压： 　　导通电压： ? í ì = on V 0.2 V ~ 0.3