基于mSAP工艺的半导体IC载板产业化项目资金申请报告.pdfVIP

基于 mSAP工艺的半导体 IC 载板产业化项目 资金申请报告 高技术产业化项目资金申请报告编制要点 项目概要：主要包括项目单位名称，项目单位注册地址，项 目单位法人代表，项目建设期限、项目建设地点；项目的意义和 必要性概述，项目单位财务状况概述，项目技术基础概述，建设 方案概述，建设条件落实情况概述，投资估算及资金筹措概述， 项目效益概述等 （概要部分文字控制在 3000 字以内， 篇幅不超过 7 页）。 高阶手机处理器 (AP) 嵌入式线路封装载板智能化生产线项 目，项目单位 ##科技 ##有限公司，项目单位注册地址 : ##市 . 项目 单位法人代表 :## ，项目建设期限 :2018 年 10 月-2019 年 12 月， 项目建设地点 : ## 市经济技术开发区 ##路。投资总额 4500 万元， 全部由企业自有资金解决。 一、项目的意义和必要性 国内外现状及技术发展趋势， 项目对相关产业发展的作用和影响， 市场分析。 1.1 项目背景 半导体 IC 载板是集成电路不可或缺的一环。封装载板在 芯片封装中起到承载裸芯片的作用， 为芯片提供支撑、 散热和 保护，同时为芯片与 PCB 母板之间提供电气连接，因此封装 载板是集成电路（ IC ）封装的关键部件，在部分高端产品中， 封装载板占封装领域 40-60% 的成本。 自 20 世纪 90 年代早期到中期以来， HDI 载板经历了 几次变化， 现在可以说是进入了第三个发展期。 早期的 HDI 板基于减成法或印刷蚀刻工艺，利用传统的板芯和顺序层 压步骤可生产线宽 / 线距约为 60 μm的高端电路板。 最重要 的是，依靠微通孔来达到当时用其他技术很难实现的高密 度互连特性。 随着 PCB制造商不断改进工艺， HDI 载板性能也得到了 改善；随着智能手机的发展， 21 世纪初，第二代 HDI 应运 而生。在保留激光钻微通孔的同时，堆叠的通孔开始取代 交错的导通孔，并结合“任意层”构建技术， HDI 板最终的 线宽 / 线距达到了 40 μm。 这种任意层的方法仍然基于减成法工艺，而且可以肯定的 是，对于移动电子产品来说，大多数高端 HDI 仍然采用这 种技术。然而，在 2017 年， HDI 开始迈入新的发展阶段， 开始从减成法工艺转向基于图形电镀的工艺。 半加成法 （SAP）采用图形电镀工艺， 可使电路特征 15 μm，主要为应对封装载板尺寸要求。 然而，半加成法 （mSAP）和改良型半加成法（ amSAP）是经过修改和高级修 改后的版本，必将成为下一代 HDI 载板主要采用的工艺。 ##科技在半导体 IC 载板行业深耕细作多年， 升级转型运作 mSAP工艺的载板具有先天的优势。 1.2 国内外现