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IGBT〔Insulated Gate Bipolar Transistor〕 ;图形符号 ;本节主要内容;结构与工作原理 ;IGBT简化电路图;工作原理;静态特性 ;伏安特性 ;饱和电压特性 ;转移特性 ;开关特性 ;动态特性 ;IGBT的开通过程 ;关断过程 ;开关时间影响参数;擎住效应 ;平安工作区 ;正向偏置平安工作区〔FBSOA〕 ;反向偏置平安工作区〔RBSOA〕 ;极限参数 ;东芝MG25N2S1的电气特性〔TC=25℃〕 ;东芝MG25N2S1的最大额定值〔Tc=25℃〕 ;对门极驱动电路的要求 ;驱动电路设计 ;驱动电路实例〔一〕;驱动电路实例〔二〕;高速光耦驱动的典型电路〔一〕 ;高速光耦驱动的典型电路 〔二〕;保护措施 ;IGBT的过电流保护;IGBT 的保护 ;专用驱动模块 ;驱动模块的原理方框图 ;典型的接线图 ;IGBT的应用;小结
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