HC2300 SOT23杭芯半导体MOS管产品规格书.pdf免费

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2021-07-30 发布于上海
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HC2300 20VN-ChannelMOSFET General Description Features The HC2300 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide VDS 20V extremely low R . This device is suitable for use ID (atV =4.5V) 6.0A DS(ON) GS as a load switch or in PWM applications. R (atV =4.5V) DS(ON) GS 25mΩ(Max) SOT23 D D S G G S AbsoluteMaximumRatings T =25°Cunlessotherwisenoted A Parameter Symbol Maximum Units Drain-SourceVoltage VDS 20 V Gate-SourceVoltage VGS ±12 V TC=25°C ID 6.0 A DrainCurrent-Continuous TC=100°C ID 3.8 A DrainCurrent – Pulsed IDM 24 A MaximumPowerDissipation PD 1.56 W JunctionandStorageTemperatureRange