闪存技术进展及新型存储技术.pdfVIP

闪存技术进展 及新型存储技术 Contents 一、闪存 二、闪存技术进展 三、新型存储技术-阻变存储 四、新型存储技术-磁性存储 五、新型存储技术-铁电存储 六、小结 2 一、闪存 1、存储机理 ① 闪存的存储单元是场效应晶体管，是一种受电压控制的三端器件，由源 极、漏极和栅极，以及衬底组成。 ② 擦和写均是基于隧道效应，电流穿过浮栅与硅基层之间的绝缘层，对浮 栅进行充电（写数据）或放电（擦除数据）。 闪存单元 闪存阵列 3 一、闪存 2、闪存应用 U盘 SD卡 CF卡 SSD 混合盘 PCIe 阵列卡 smartphone 4 一、闪存 3、SSD特性 Ø 目前的主流存储介质（SLC/MLC/TLC ）。 Ø 安全可靠、并发传输、均衡写入。SATA3.0 500MB/s。 Ø 2016年，PCI-E 3.0 x16 SSD ， “Nytro XP7200”。 Ø 四块Nytro XM1440 M.2 SSD ，功耗26W Ø 最大容量 ：7.7TB Ø 峰值、持续读写性能10GB/s、3.6GB/s Ø 持续读、写速度940000 IOPS、160000 IOPS。 Ø SSD pk HDD ，价格是关键。 5 一、闪存 4、SSD发展 Ø 国产主控芯片：STAR1000P是忆芯科技的第二代NVMe主控，主机接口为 PCIe Gen3x4 ，支持NVMe 1.3协议，支持8个闪存通道，最大32TB Flash容 量，支持2D/3D SLC/MLC/TLC/QLC闪存，支持 DDR3/DDR3L/DDR4/LPDDR3缓存。 Ø STAR1000P实现了3.5GB/s和3.2GB/s的顺序读写以及600K IOPS的随机读写 性能，最低8us的写延迟，助力数据中心关键应用。STAR1000P除支持国际 AES加密标准以外，也全面支持中国商密（SM2/3/4 ）安全方案。 6 一、闪存 4、SSD发展 Ø 据SK hynix透露，该产品是业界最尖端的128层堆栈4D NAND ，适用超均一 垂直植入技术、高信赖多层薄膜构成技术、超高速低电力线路设计等技术。同 时，该产品也是用TLC存储方式打造的NAND中，首次达到1TB容量的产品。 Ø “CMOS under Array”（CuA ） Ø 128层4D Nand闪存芯片，从2019年 下半年开始投入量产。