电子元器件的分类.pptxVIP

元器件质量与可靠性保证;讨论;本课程要讲述的主要内容;课时安排及考核要求;第一讲 内容提要;历史回顾;历史回顾;历史回顾;历史回顾;现代元器件的发展;元器件的分类;元器件的概念;元器件的分类;元器件分类总图;电气元件;电阻器;电阻器结构与工艺;电阻器失效;电阻器;电阻器;电位器;电位器;电容器; 电容器的结构与工艺（含铝电解、液钽、固钽、瓷介）;;简单的平行板电容器的基本结构是由一个绝缘的中间介质层加外两个导电的金属电极，基本结构如下： ;表2 电容器的主要失效模式、失效机理; 防止铝电解电容器失效注意事项;钽电容器;片式钽电容的正极为经真空高温烧结而成的多孔性钽块。绝缘介质是在多孔性钽块表面，经阳极氧化生成的五氧化二钽（Ta2O5）。且由于钽和五氧化二钽的化学稳定性都很好，故片式钽电容贮存性好，可靠性高。 ;电感器;变压器;变压器;机电元件;开关;电连接器;电连接器;继电器;继电器;电子器件;半导体分立器件;半导体分立器件;第一部分;半导体分立器件;半导体分立器件;半导体分立器件;集成电路;集成电路;相关机理;化学相关的机理;腐蚀模型;腐蚀的失效物理模型如下式所示： 式中，A为与腐蚀面积相关的常数，RH为相对湿度，n为经验常数，一般取3，Ea为激活能，通过试验测得，k为波尔兹曼常数，T为环境温度，单位K。;2020/12/11;在MOS器件及其集成电路中，栅极下面存在一薄层SiO2，此即通称的栅氧化层。栅氧的漏电与栅氧质量密切相关，漏电增加到一定程度即构成击穿，导致器件失效。栅氧击穿分为瞬时击穿和与时间相关的介质击穿(TDDB, Time Dependent Dielectric Breakdown)。 瞬时击穿指在加高压以致电场强度达到或超过介质材料所能承受的临界击穿电场的情况下所发生的击穿；与时间相关的介质击穿指施加的电场低于栅氧的本征击穿场强，并未引起本征击穿，但经历一定时间后仍发生了击穿。这是由于施加电应力过程中，氧化层内产生并积聚了缺陷（陷阱）的缘故。;光电子器件;半导体光电器件;The End;课后作业;第一讲 内容提要;历史回顾;电位器;片式钽电容的正极为经真空高温烧结而成的多孔性钽块。绝缘???质是在多孔性钽块表面，经阳极氧化生成的五氧化二钽（Ta2O5）。且由于钽和五氧化二钽的化学稳定性都很好，故片式钽电容贮存性好，可靠性高。 ;电感器;半导体分立器件;集成电路;半导体光电器件