TEG设备及量测项目介绍教学PPT课件.ppt

R_M1_ITO DEVICE Layer 量测值异常对应结构可能缺陷 相关站点 R_M1_ITO M1 G-layer hole 　 Pass hole ITO 1.M1阻值异常-薄膜品质, check R_M1 黄光,蚀刻-看线宽是否异常, check R_M1 2.ITO阻值异常-薄膜品质, check R_ITO 黄光,蚀刻-看线宽是否异常, check R_ITO 回火制程异常, check R_ITO 3.VIA hole profile不佳-check PAD pattern 1200,1300,1400 5200,5300,5400, 5880 4200,4300,4400 a a a a R_M2_ITO DEVICE Layer 量测值异常对应结构可能缺陷 相关站点 R_M2_ITO 　 　 M2 Pass hole ITO 1.M2阻值异常- 薄膜品质, check R_M2 黄光,蚀刻-看线宽是否异常, check R_M22.ITO阻值异常- 薄膜品质, check R_ITO 黄光,蚀刻-看线宽是否异常, check R_ITO 回火制程异常, check R_ITO3.VIA hole profile不佳-check PAD pattern 3200,3300,34005200,5300,5400, 58802200,4200,4300, 4400 a a a a R_M2_PRO DEVICE Layer 量测值异常对应结构可能缺陷 相关站点 R_M2_Pro 　 　 M2 　 ITO 1.ITO薄膜异常-沉积, check R_ITO 黄光,蚀刻-看线宽是否异常, check R_ITO profile2.回火制程异常3.check PAD接点, 可能因为M2剖面Profile不佳导 致ITO断线 5200, 5300,5400, 5880 3400 利用ITO覆盖M2层，用来评断M2的蚀刻后profile是否过陡而导致阶梯效应，而使ITO断线。 R_Si DEVICE Layer 量测值异常对应结构可能缺陷 相关站点 R_SI 　 GIN M2 　 　 1.M2阻值异常-薄膜品质, check R_M2 2.GIN沉积异常, check C(+/- 20) 3.GIN profile不佳-check C(+/- 20) pattern 3200,3300,3400 2200 2400 将TFT组件视为开关，则期望VG电压小于VTH时组件的呈现高阻抗。本项可检测IN层沉积时是否有杂质混入而导致阻抗降低。 C(±20) DEVICE Layer 量测值异常对应结构可能缺陷 相关站点 C(± 20) M1 GIN M2 　 　 1.M2阻值异常-薄膜品质, check R_M2 2.GIN沉积异常, check R_SI 3.GIN profile不佳-check R_SI pattern 3200,3300,340022002400 M2 IN G M1 VG0 V=0 -------------------- +++++++++++++++++++ C=C(G-SiNx) M2 IN G M1 VG0 V=0 C=C(GIN) + + + + + + + -------------------- + + + + + + + + + + + + + + ET item-组件特性 Vth: threshold voltage, 以I(6)与I(8)之斜率对I(7)做切线, 与 Id =0之切点电压值（VD=10V）。 UL0.5, US10: VD =0.5V(线性区)与10V(饱和区)时的electron mobility。 I(8), I(21): VG =8V与21V, VD =10V时的Id值。 R_TFT : VD =0.5V, VG=8V时TFT的channel阻值。 I(-2), I(-6), I(-10), I(-15), I(-25): VG