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1．DDR 的发展： 2003 年秋季 Intel 公布了 DDR2 内存的发展计划。而随着当时 CPU 前端总线 带宽的提高和高速局部总线的出现，内存带宽成为系统越来越大的瓶颈。处于主 流 DDR 技术已经发展到极至，因此DDR2 脱颖而出。 DDR2 的实际工作频率是 DDR 的两倍。这得益于DDR2 内存拥有两倍于标准 DDR 内存的 4bit 预读取能力。下图为DDR 和 DDR2 预读取能力的对比。 DDR2 内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于 DDR 的传输 能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下 （由 2.5V 降为1.8V），DDR2 可 以获得更快的频率提升，突破标准DDR 的 400MHZ 限制。 DDR 内存通常采用 TSOP 芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在 200MHz 上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这 会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是 DDR 的核心频率很难突破 275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的 TSOP 封装形式，FBGA 封装提供了更好的电气性能与散热性，为 DDR2 内存的稳定工作 与未来频率的发展提供了良好的保障。 2007 年中 Intel 表示支持 DDR3 的发展，随后DDR3 慢慢走上了历史的舞台， 根据由 JEDEC 协会所制定的规格来看，由技术面来切入DDR3 与 DDR2 的异同点， DDR3 拥有高频率低电压的优点，DDR3 可以比DDR2 运作时省下约 30%的电力，速 度方面 DDR3 从 800Mbps 起跳最高可以至 1600Mbps，几乎是DDR2 的二倍速度， 正因为高传输率的关系，DDR3 可以在一个时序(Clock)之中传出8bit 的数据， 比起DDR2 的 4bit 也是二倍的数据传输量，低电压更是DDR3 的优势之一，1.5V 的电压比DDR2 的 1.8V 降低了 17%。 下面的图表总结了 DDR，DDR2，以及 DDR3 的一些重要的区别： 2、认识内存相关工作流程与参数 首先，我们先了解一下内存的大体结构工作流程，这样会比较容量理解这些 参数在其中所起到的作用。这部分的讲述运用 DDR3 的简化时序图。 DDR3 的内部是一个存储阵列，将数据 “填”进去，你可以它想象成一张表 格。和表格的检索原理一样，先指定一个行 （Row），再指定一个列 （Column）， 我们就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。对于 内存，这个单元格可称为存储单元,那么这个表格 （存储阵列）就是逻辑Bank （Logical Bank，下面简称Bank）。 DDR3 内部 Bank 示意图，这是一个NXN 的阵列，B 代表Bank 地址编号，C 代表 列地址编号，R 代表行地址编号。如果寻址命令是B1、R2、C6，就能确定地址是 图中红格的位置 目前DDR3 内存芯片基本上都是 8 个 Bank 设计，也就是说一共有 8 个这样的 “表格”。寻址的流程也就是先指定Bank 地址，再指定行地址，然后指列地址 最终的确寻址单元。 目前DDR3 系统而言，还存在物理Bank 的概念，这是对内存子系统的一个相 关术语，并不针对内存芯片。内存为了保证CPU 正常工作，必须一次传输完 CPU 在一个传输周期内所需要的数据。而 CPU 在一个传输周期能接受的数据容量就是 CPU 数据总线的位宽，单位是bit(位)。控制内存与 CPU 之间数据交换的北桥芯 片也因此将内存总线的数据位宽等同于 CPU 数据总线的位宽，这个位宽就称为物 理 Bank（Physical Bank，有的资料称之为 Rank）的位宽。目前这个位宽基本为 64bit。 在实际工作中，Bank 地址与相应的行地址是同时发出的，此时这个命令称 之为 “行激活”（Row Active）。在此之后，将发送列地址寻址命令与具体的