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第14章二极管和三极管知识点复习总结 PAGE / NUMPAGES 第14章二极管和三极管知识点复习总结 二极管: 概念 1、半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。 2、半导体奇妙特性:热敏性、光敏性、掺杂性。 3、本征半导体:完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。 4、本征激发:环境温度变化或光照产生本征激发,形成电子和空穴,电子带负电,空穴带 正电。它们在外电场作用下均能移动而形成电流,所以称载流子。 5、P型半导体:在纯净半导体掺入三价杂质元素,便形成P型半导体,使导电能力大大 加强,此类半导体,空穴为多数载流子(称多子)而电子为少子。 6、N型半导体:在纯净半导体掺入五价杂质元素,便形成N型半导体,使导电能力大大 加强,此类半导体,电子为多子、而空穴为少子。 7、PN结具有单向导电性:P接正、N接负时(称正偏),PN结正向导通,P接负、N接正 时(称反偏),PN结反向截止。所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的,而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。 8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管), 9、二极管由一个PN结组成,所以二极管也具有单向导电性:正偏时导通,呈小电阻,大 电流,反偏时截止,呈大电阻,零电流。其死区电压:S i管约0.5V,G e管约为0.1 V 。其导通压降:S i管约0.7V,G e管约为0.2 V 。这两组数也是判材料的依据。 10、稳压管是工作在反向击穿状态的: ①加正向电压时,相当正向导通的二极管。(压降为0.7V,) ②加反向电压时截止,相当断开。 ③加反向电压并击穿(即满足U﹥U Z)时便稳压为U Z。 10、二极管主要用途:整流、限幅、继流、检波、开关、隔离(门电路)等。 三极管: 一、概念 1、三极管由两个PN结组成。从结构看有三个区、两个结、三个极。 三个区:发射区——掺杂浓度很高,其作用是向基区发射电子。 基区——掺杂浓度很低,其作用是控制发射区发射的电子。 集电区——掺杂浓度较高,但面积最大,其作用是收集发射区发射的电子。 两个结:集电区——基区形成的PN结。叫集电结。(J C) 基区——发射区形成的PN结。叫发射结。(J e) 三个极:从三个区引出的三个电极分别叫基极B、发射极E和集电极C(或用a、b、c)对应的三个电流分别称基极电流I B、发射极电流I E、集电极电流I C。并有: I E =I B+ I C 2、三极管也有硅管和锗管,型号有NPN型和PNP型。 3、三极管的输入电压电流用U BE、I B表示,输出电压电流用U CE、I C表示。 即基极发射极间的电压为输入电压U BE,集电极发射间的电压为输出电压U CE。 三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数β=I C / I B (或I C=β I B)和开关作用. 4、三极管的输入特性(指输入电压电流的关系特性)与二极管正向特性很相似,也有: 死区电压:硅管约为0.5V, 锗管约为0.1V 。 导通压降:硅管约为0.7V ,锗管约为0.2V 。(这两组数也是判材料的依据) 5、三极管的输出特性(指输出电压U CE与输出电流I C的关系特性)有三个区: ①饱和区:特点是U CE﹤0.3V,无放大作用,C-E间相当闭合.其偏置条件J C, J e都正偏. ②截止区:特点是U BE ≦0, I B=0, I C=0,无放大. C-E间相当断开..其偏置条件J C, J e都反偏. ③放大区: 特点是U BE大于死区电压, U CE﹥1V, I C=β I B.其偏置条件J e正偏J C反偏. 所以三极管有三种工作状态,即饱和状态,截止状态和放大状态,作放大用时应工作在放大状态,作开关用时应工作在截止和饱和状态. 6、当输入信号I i很微弱时,三极管可用H参数模型代替(也叫微变电路等效电路) 7、对放大电路的分析有估算法和图解法 估算法是:⑴先画出直流通路(方法是将电容开路,信号源短路,剩下的部分就是直流通路), 求静态工作点I BQ、I CQ、U CEQ。 ⑵画交流通路,H参数小信号等效电路求电压放大倍数A U输入输出电 阻R I和R0。 图解法:是在输入回路求出I B后,在输入特性作直线,得到工作点Q,读出相应的I BQ、U BEQ 而在输出回路列电压方程在输出曲线作直线,得到工作点Q,读出相应的I CQ、U CEQ 加入待放大信号u i从输入输出特性曲线可观察输入输出波形,。若工作点 Q点设得合适,(在放大区)则波形就不会发生失真。 8、失真有三种情况: ⑴截止失真:原因是I B、I C太小,Q点过低,使输出波形后半周(正半周)失真。 消除办法是调小R B,以增大I B、I C,使Q点上移。 ⑵饱和失真:原因是I B、I C太大,Q点过高,使输出波形前半周(负半周)失真。 消除办法是调大R