《半导体的导电特性》.pptVIP

IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O （2）截止区 IB 0 以下区域为截止区，有 IC ? 0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。 饱和区 截止区 （3）饱和区 当UCE? UBE时，晶体管工作于饱和状态。 在饱和区，?IB ?IC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 深度饱和时， 硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? 0.1V。 5.3.4 主要参数 1. 电流放大系数，? 直流电流放大系数 交流电流放大系数 当晶体管接成发射极电路时， 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。 注意： 和? 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。 常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间。 例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? = 。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 0 Q1 Q2 在 Q1 点，有 由 Q1 和Q2点，得 2.集-基极反向截止电流 ICBO ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。 温度??ICBO? ICBO ?A + – EC 3.集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO ?A ICEO IB=0 + – ICEO受温度的影响大。 温度??ICEO?，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 4. 集电极最大允许电流 ICM 5. 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 集电极电流 IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为 ICM。 当集—射极之间的电压UCE 超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR) CEO。 6. 集电极最大允许耗散功耗PCM PCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。 PC ? PCM =IC UCE 硅管允许结温约为150?C，锗管约为70?90?C。 ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 由三个极限参数可画出三极管的安全工作区 IC UCE O 晶体管参数与温度的关系 1、温度每增加10?C，ICBO增大一倍。硅管优 于锗管。 2、温度每升高 1?C，UBE将减小 –(2~2.5)mV， 即晶体管具有负温度系数。 3、温度每升高 1?C，? 增加 0.5%~1.0%。 5.4 基本放大电路的组成 5.4.1 共发射极基本放大电路组成 共发射极基本电路 EC RS es RB EB RC C1 C2 T + + + – RL + + – – ui + – uo + – + + – uBE uCE – iC iB iE 5.4 基本放大电路的组成 5.4.2 基本放大电路各元件作用 晶体管T--放大元件, iC=? iB。要保证集电结反偏,发射结正偏,使晶体管工作在放大区 。 基极电源EB与基极电阻RB--使发射结 处于正偏，并提供大小适当的基极电流。 共发射极基本电路 EC RS es RB EB RC C1 C2 T + + + – RL + + – – ui + – uo + – + + – uBE uCE – iC iB iE 5.4 基本放大电路的组成 5.4.2 基本放大电路各元件作用 集电极电源EC --为电路提供能量。并保证集电结反偏。 集电极电阻RC--将变化的电流转变为变化的电压。 耦合电容C1 、C2 --隔离输入、输出与放大电路直流的联系，同时使信号顺利输入、输出。 信号源 负载 共发射极基本电路 EC RS es RB EB RC C1 C2 T + + + – RL + + – – ui + – uo + – + + – uBE uCE – iC iB iE 5.4 基本放大电路的组成 单电源供电时常用的画法 共发射极基本电路 +UCC RS es RB RC C1 C2 T + + + – RL ui + – uo + – + + – uBE uCE – iC iB iE EC RS es RB EB RC C1 C2 T