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* 第七章 材料在高温条件下的力学性能 工程实例分析: 蠕变:恒定载荷下,变形随时间延续而缓慢增加的不平衡过程。 发生蠕变的温度: 7.1 材料的蠕变 材料性质:金属强度/塑性均降低;陶瓷脆性改善;高分子粘弹性显著 断裂路径变化:金属穿晶→沿晶断裂,晶界比晶粒强度随温度增加衰减快。等强温度:晶粒与晶界强度相等的温度 伴随应力松弛:持续外力下,总变形值不变内部应力随时间增加而降低(因蠕变渐增弹性变形渐减) 蠕变效应: 由于蠕变发生,不能说材料在某温度下强度多少,与时间有关(机制?) 金属 T ?(0.3-0.4)Tm(材料的熔点) 陶瓷 T ? (0.4-0.5)Tm 高分子 T ? Tg (玻璃化转变温度) √ 蠕变的实质 金属/陶瓷:位错滑移/攀移 高分子: 分子链内部键长键角变化,普弹变形(量小),能立刻恢复; 分子链通过链段运动逐渐伸展,高弹形变(量大),能逐渐恢复 分子间相对滑动(分子间无化学交联的线性高聚物),粘性流动,不可恢复 切应力使位错1滑移到2 间隙原子扩散到位错/空位移出=正攀移(半原子面伸长),反之,负攀移 位错与点缺陷交互作用——固溶强化 位错与线缺陷交互作用——加工硬化 位错与面缺陷交互作用——细晶强化 位错与体缺陷交互作用——弥散强化 硬质点(体缺陷)对位错运动起阻碍作用 塑性变形增加,位错密度增加,形变抗力增加,加工硬化 位错前端存在应力集中,晶粒大,位错塞积,应力集中严重,强度低 增加位错运动难度 位错的产生 知识补充: 7.1.1 典型的蠕变曲线 oa.起始阶段:瞬时弹性变形,与时间无关; ab.蠕变减速阶段: 蠕变速率 随时间增加而降低,A、n皆为常数,且0<n<1 bc.稳态蠕变阶段: =常数 cd.加速蠕变阶段 ∝t,曲线变陡,d点断裂 非典型:T或σ↑,稳定阶段↓; T或σ↓,稳定阶段↑。 √ 7.1.2 蠕变机理 (1) 位错运动理论 (b)T↑,原子热运动↑,位错攀移到滑移面之外,饶过障碍物,使滑移面移位,原来不能运动的位错变的能运动,蠕变↑。 σ或T↑,受阻大的位错也能解放出来,受阻位错被解放、完成蠕变后,蠕变速率就会↓(解释了减速阶段的特点),σ或T↑,曲线上移,反之下移。 ——金属在常温、高温下的蠕变多由此阶段引起。 认为:蠕变是受阻位错解放引起 (a)位错因大的障碍物而不能运动 (2) 扩散蠕变理论 认为:蠕变和晶体中的扩散现象类似,蠕变过程是原子沿应力作用方向扩散的结果。 受拉晶界空位浓度受压晶界 空位扩散方向:受拉晶界→受压晶界; 质点扩散方向:受压晶界→受拉晶界: 结果:受拉方向伸长、形变。 (3) 晶界蠕变理论 对多晶材料而言。 晶界: 1)晶格点的畸变区,缺陷“源/阱”双层作用,→空位扩散,晶界滑移; 2)化学组成的微不均匀带——富集掺杂物、液相或微晶相→T↑η↑,外力作用下发生粘性流动; 3)内应力集中处,不同质点E/α不同造成→促使上述二过程。 →引起宏观变形→蠕变 7.1.3 影响蠕变的因素 1、T↑,位错运动↑,扩散系数↑,ε↑; 2、σ↑,ε↑; 3、显微结构 (1)气孔↑,抵抗蠕变的有效截面↓,ε↑; (2)晶粒↓,晶界%↑,晶界扩散↑,ε↑,单晶没有晶界,抗ε多晶; (3)玻璃相,T↑,玻璃相η↓,ε↑。玻璃相对晶界的润湿程度——不润湿,晶粒/晶粒,ε↓;润湿,晶/玻/晶,ε↑。 4、组成 不同组成时,键性/晶格类型不同,ε不同; 组成相同时,单独存在和组成化合物,ε不同,如氧化铝、氧化硅单独抗ε差,成莫来石,针/网状,抗ε↑。 5、晶体结构,共价键%↑,扩散、位错运动↓,抗蠕变ε↑。 7.2 蠕变极限及持久强度 7.2.1 蠕变极限 高温、长期载荷作用下,材料塑性变形的抗力指标(与常温屈服强度相似) 两种表示方法: 给定温度下,试样产生规定蠕变速率的应力值 表示温度600℃条件下,蠕变速率为1ⅹ10-5 %/h的蠕变极限是600MPa—电站锅炉/汽轮机制造常用 给定温度T下和规定时间t内,使试样产生一定蠕变伸长率?的应力值 表示600℃温度下,10万h后伸长率为1%的蠕变极限为100MPa √ 7.2.2 持久强度 高温、长期载荷作用下,抵抗断裂的能力 表示方法: 给定温度T、规定时间t发生断裂的应力值 700℃、1000h的持久强度为30MPa √ 7.3 应力松弛 ——总应变不变,应力随时间降低,可视为不断降低的“多级”蠕变 如:紧固螺栓、束物绳索、出炉瓷件 高温工作紧固零件(如:汽轮机缸盖或法兰
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