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三、曝光 扫描模式 Exposure parameter Area dose Line dose Dot does Area mode Line mode Circle mode EBL基本结构与工作原理 EBL=Electron Beam Lithography=电子束光刻 一、电子束曝光系统结构 column 电子源的分类 直热式 W,2700K 热发射电子源 旁热式 LaB6,1800K 电子源 热场发射 ZrO/W,1800K 场发射电子源 冷场发射 四种电子源对比 电子源三个关键参数:有效源尺寸,亮度,电子能量分布 热发射源能量分布大,聚焦斑束大,产生严重相差。 冷场致发射稳定性差,对真空要求高。故EBL系统选用热场致发射源。 旁热式热场致电子源结构示意图 阳 地 超高电场 阴 阴 阳 EBL中电子源结构示意图 几个牌子的EBL性能参数 二次电子探测器 Detector Illustrations with different signal sources Imaging by means of SE2 detector: 5mm WD Imaging by means of In lens detector: = 10mm WD (depending on high voltage setting) Imaging by means of BSE detector: 8-10 mm (Optimum of the BS electron detection) Influence of Acceleration Voltage Influence of Beam Current Influence of Working Distance 二、坐标系的对准 建立坐标系 写场对准 * Filament 灯丝 Suppressor 抑制器 Electrode 电极 Anode 阳极 * 日本JEOL公司、德国Leica公司和德国Raith公司 *
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