计算机软件及应用cmos集成电路基础.pptxVIP

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2020-03-18 发布于上海
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计算机软件及应用cmos集成电路基础.pptx

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集成电路(integrated circuit);PCB与IC;IC;集成电路内部构成与工作原理;2、半导体材料;单质硅材料导电能力很弱，必须在其中选择性的加入少量杂质材料，提供更多自由电子。引入杂质的过程称为掺杂；掺杂不同杂质，得到的半导体材料分为N型和P型材料。;N型材料使用Ⅴ族元素为掺杂杂质，杂质的五个价电子中，四个与周围的硅结合成共价键，多余的一个价电子成为自由电子，参与导电。;P型材料使用Ⅲ族元素为掺杂杂质，杂质的价电子与周围三个硅原子的电子结合成共价键，缺少一个形成共价键的电子，出现电子的空位，成为“空穴”。;3、PN结;4、场效应与半导体开关;例如在P型半导体附近施加正电压，电压吸引半导体内的电子并形成积累。当电子积累到一定程度，P型半导体内局部变为N型，被称为反型。;场效应晶体管（FET）;栅极负责施加控制电压;根据源极、漏极掺杂类型的不同，MOS管??为NMOS和PMOS两种。;衬底接触;电路符号;（a）NMOS（b）PMOS;（a）NMOS （b）PMOS;CMOS逻辑电路;MOS管反型导通条件;反相器（非门）;与非门;或非门;先在硅表面制作一层二氧化硅；然后通过光刻，在二氧化硅上需要扩散掺入杂质的区域开设窗口；最后完成掺杂和金属化等工序，完成芯片的制造。;;定义版图;栅极负责施加控制电压;;; MOS管中电流由源极流向漏极。沟道中电流流过的距离为沟道长度；截面尺寸为沟道宽度。;设计中，常以宽度和长度值的比例式即宽长比（W/L）表示器件尺寸。例：假设一MOS管，尺寸参数为20/5。则在版图上应如何标注其尺寸。