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式中,n0为E=0时晶体的折射率,α和β是张量,称为电光系数,其值和偏振面与晶体轴线的取向有关。据不同取向,当β=0时,n随E按比例变化,称为线性电光效应或普克尔(Pockel)效应。当α=0时,n随E2按比例变化,称为二次电光效应或克尔(Kerr)效应。调制器是利用线性电光效应实现的,因为折射率n随外加电场E(电压U)而变化,改变了入射光的相位和输出光功率 。 n=n0+αE+βE2 (3.1) 马赫一曾德尔(MZ)干涉型调制器的简图 设输入调制信号按余弦变化,则输出信号的光功率为: 式中Us和Ub分别为信号电压和偏置电压,Uπ为光功率变化半个周期(相位为0~π)所需的外加电压,并称为半波电压。由式(3.2)可以看到,当Us+Ub=0时,P=2为最大;当Us+Ub=Uπ时,P=0。 (3-2) 用于幅度调制(AM)的MZ型调制器可以达到如下性能:外加电压11V,带宽为3GHz时插入损耗约6dB,消光比(最小输出和最大输出的比值)为0.006。 * 光交换器件,包括光交叉连接器(OXC)和光分插复用器(OADM),及其基础器件——光开关,目前基本上还是光电混合的。 2.星形耦合器 (n×m )星形耦合器如图3-7所示。 功能:把n根光纤输入的光功率组合在一起,均匀地分配给m根光纤输出,n和m不一定相等。 特点:该耦合器通常用作多端功率分配器。这种光耦合器与波长无关。 星形耦合器 n m 用2×2耦合器拼接星型、树型耦合器 星形耦合器应用 光耦合器的性能指标 以X型光耦合器为例,其性能指标如下: 1. 插入损耗L: L=10LgP1/(P4+P3) dB 2. 耦合率C: C= P3/ P1 3. 分光比R: R=P4/ P3 4. 隔离度I: I=10lg(P4+P3)/P2 dB 二.Wavelength-Dependent Couplers Wavelength-division multiplexers (WDM) types: 3 port devices (4th port terminated) 1310 / 1550 nm (“classic” WDM technology) 1480 / 1550 nm and 980 / 1550 nm for pumping optical amplifiers (see later) 1550 / 1625 nm for network monitoring Insertion and rejection: Low loss ( 1 dB) for path wavelength High loss (20 to 50 dB) for other wavelength Common l1 l2 详见第七章 §3 光隔离器与光环行器 一.光隔离器 功能:只允许光波往一个方向上传输,阻碍光波往其他方向特别是往反方向传输。 指标要求:是正向入射光的插入损耗约1dB,对反向光的隔离度大致为40~50dB。 用途:光通信系统 Isolators Main application: To protect lasers and optical amplifiers from light coming back (which otherwise can cause instabilities) Insertion loss: Low loss (0.2 to 2 dB) in forward direction High loss in reverse direction:20 to 40 dB single stage, 40 to 80 dB dual stage) Return loss: More than 60 dB without connectors 隔离器工作原理 偏振器的作用:选择一定偏振方向的光 偏振器的特点是它有一透光轴,对理想的偏振器,沿透光轴方向的偏振光能完全通过,而与之垂直的偏振光则完全被阻止。 旋转器作用:改变偏振光的偏振方向 旋转器常采用钇铁石榴石(YIG)晶片(或小球)外加磁场做成。 2.光隔离器的特性 如图所示,光隔离器的性能参数定义如下: ①正向插入损耗:L=10lgPi1/ P01 dB ②反向损耗: L*=10lgPi2/ P02 dB ③隔离度I= L*-L=反向损耗-正向损耗 反向输入Pi2 反
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