第3章双极晶体管4.pptVIP

3.4 晶体管的反向特性及基极电阻 反向截止电流：增加器件的空载功耗，对放大无贡献，越小越好 击穿电压：反映晶体管耐压能力，越高越好 基极电阻：增加器件功耗，越小越好 3.4 晶体管的反向特性及基极电阻 3.4.1 晶体管反向电流 一、定义 晶体管某二个电极间加反向电压，另一电极开路时流过管中的电流称其反向电流。 1、IEBO：集电极极开路，发射极与基极间反偏，流过发射结的电流。 2、ICBO：发射极开路，集电极和基极间反偏，流过集电结的电流。 3、ICEO：基极开路，发射极和集电极间反偏，流过发射极和集电极的电流。 3.4 晶体管的反向特性及基极电阻 3.4 晶体管的反向特性及基极电阻 3.4.2 晶体管反向击穿电压 晶体管某一极开路，另二极之间所能承受的最大反向电压即为晶体管反向击穿电压 BVebo ：集电极开路 发射极－基极间 反向击穿电压 BVcbo ：发射极开路 集电极－基极间 反向击穿电压 BVceo ：基极开路 发射极－集电极间 能承受的最高反向电压 BVebo，一般情况下eb结正偏，20V以内。 BVcbo，由集电区的掺杂浓度决定,一般要求高。 BVc e0，与BVcbo有联系。 3.4 晶体管的反向特性及基极电阻 3.4.3 基极电阻 3.4 晶体管的反向特性及基极电阻 3.4.3 基极电阻 3.4 晶体管的反向特性及基极电阻 rb1 3.4 晶体管的反向特性及基极电阻 降低基极电阻？ （1）减小发射区宽度Se、基区宽度Sb、发射区与基区之间距离Seb、增加条的长度Le，但受到工艺条件的限制。 （2）增加发射极条的数目n，但受到面积限制，条数越多，需要的基底面积越大。 （3）降低基区方块电阻，可以通过提高基区杂质浓度，但这样会降低发射效率。 3.5. BJT交流小信号特性 输入电压 3.5. BJT交流小信号特性 共基极截止频率 * * I V Iebo I V Icbo I V Iceo 反向电流由工艺与材料决定，与工作温度相关 I V BVebo I V BVcbo I V BVceo BVce0小于BVcb0； I V BVebo I V BVcbo I V BVceo E B 发射极 基区 发射区 基极 发射极 发射区 基极 基区 集电区 集电极 Sb/2 Seb Se le rB3 rB2 rB1 rcon xjc r= rb1+rb2+rb3+rbc。 rb1发射区下面的基区电阻， rb2发射极和基极之间的电阻， rb3基极电极下面的电阻， rbc基极电极与半导体表面的接触电阻。 dx薄层电阻 dx薄层内消耗的功率: Sb/2 Seb Se le rB3 rB2 rB1 rcon xjc 集电极输出电流： 电压、电流随时间变化，使晶体管的pn结势垒电容和扩散电容充放电。 发射极交流电流： 基极电流 ： 交流情况下，同样大小的发射极电流，由于基极电流增大，会使得输出电流减小，电流放大系数降低。 放大系数的分贝表示： 6分贝/ 倍频 α β 3dB 3dB f fβ fT fα 0 电流放大系数（dB） *