放大电路、反馈电路.pptVIP

N型半导体 半导体中电子的数目增加，这种半导体导电主要靠电子，所以称为电子型半导体，又称 N 型半导体。其中自由电子是多数载流子，空穴为少数载流子。 P型半导体 PN结及其单向导电性 三极管的放大原理 以NPN型三极管为例，要使三极管具有电流放大作用，发射结要正向偏置，集电结要反向偏置 。 三极管的特性曲线 各电极间的电压与电流之间的关系曲线，是分析三极管电路的重要依据，可用晶体管特性图示仪直接显示，或通过测试电路测试。 输入特性： 2、基本（共射极）放大电路的组成 3、基本交流电压放大电路分析 多级放大电路 2、放大电路中的反馈 反馈放大电路的基本关系式 反馈的极性 瞬时极性法 正反馈 根据输出端反馈对象不同分 反馈采样对象是输出电流 反馈的类型 根据输入端采样对象不同分 反馈信号以电压形式出现在输入端 反馈信号以电流形式出现在输入端 并联反馈 串联反馈 电压反馈 电流反馈 反馈采样对象是输出电压 负反馈 电压串联负反馈 电压并联负反馈 电流串联负反馈 电流并联负反馈 负反馈的类型 稳定输出电压 减小输出电阻 稳定输出电流 增大输出电阻 串联反馈使 输入电阻增大 并联反馈使 输入电阻减小 * * ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 空穴 自由电子 共价健 一、半导体的基础知识 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋5 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 自由电子 半导体中空穴的数目增加，这种半导体导电主要靠空穴，因此称为空穴型半导体，又称P型半导体。其中空穴是多数载流子，电子是少数载流子。 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋3 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 空穴 通过一定的工艺，使一块P型半导体和一块N型半导体结合在一起时，在他们的交界处会形成一个特殊区域，称为PN结。 1. PN结的形成 PN结加正向电压导通、反向电压截止。 空间电荷区变窄 内电场 正向电流大 外电场 2. PN结单向导电性 P N + + + - - - 三极管的基本结构、符号 发射结 集电结 PNP NPN B C E 集电区 发射区 基区 发射极 集电极 基极 B C E C 集电区 发射区 基区 发射极 集电极 基极 B C E C B C E 二、半导体三极管 B E C N N P 基极 发射极 集电极 常见外形 IB IC IE 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 扩散到基区的电子只有少部分与基区的空穴复合，形成电流IB，其余扩散到集电结边缘。 集电结反偏，从基区扩散来的电子漂移过集电结被集电结收集，形成IC。 RB RC UCC RC RB IC ＋ － UCE ＋ － μA mA V V UEB IB UBE UCC UBE/V IB/mA 1.0 O 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.2 0.6 0.4 0.8 20℃ UCE=0V UCE≥1V UCE/V 4 2 截止区 IC/mA O IB=0 放 大 区 5 10 20（μA） 40 80 60 100 120 饱和区 截止区：发射结和集电结均反偏，IB=0 。 放大区：发射结正向偏置，集电结反向偏置，IC=?IB。 饱和区：集电结、发射结正偏，饱和压降硅管UCES?0.3V。 输出特性： 1、放大的概念： 在电子线路中，放大的本质是在输入信号的作用下，通过半导体器件对直流电源的能量进行控制和转换，是负载从电源中获得的输出信号能量，比输入信号的能量大得多，表现为输出电压大于输入电压，或输出电流大于输入电流，或兼而有之。 三极管 三、基本放大电路 +UCC C2 ＋ C1 ＋ RC RB VT ＋ － ＋ － B E C ui uo RL RS ＋ － uS 集电极电源UCC使集电结反偏，为电路提供能量。 集电极电阻RC将变化的电流转变为变化的电压。 基极电阻RB调节偏置电流，使三极管有合适的工作点。 耦合电容C1 、C2传递交流信号，同时使放大电路与信号源和负载之间直流相隔离。 晶体管T放大元件, 用基极电流控制集电极电流。 静态：放大电路无交流信号输入。 静态分析：确定放大电路的静态值。 静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ 。 分析放大电路可分为静态分析和动态分析。 动