GB/T 29055-2012太阳电池用多晶硅片.pdf

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  •   |  2012-12-31 颁布
  •   |  2013-10-01 实施
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ICS 29. 045 H 82 中华人民共和国国彖标准 GB/T 29055—2012 太阳电池用多晶硅片 Multi-crystalline silicon wafer for solar cell 2012-12-31 发布 2013-10-01 实施 GB/T 29055—2012 ■ i r ■ ■ i 刖 吕 本标准按照GB/T 1. 1-2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)归口。 本标准起草单位:江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、宁波晶元太阳能有限公司、无锡尚德太 阳能电力有限公司。 本标准主要起草人:万跃鹏、唐骏、孙世龙、游达、朱华英、刘林艳、段育红。 T GB/T 29055—2012 太阳电池用多晶硅片 1范围 本标准规定了太阳电池用多晶硅片的术语定义、符号及缩略语、产品分类、技术要求、试验方法、检 测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于铸锭多晶切片垂直于长晶方向生产的太阳电池用多晶硅片。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少 。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件 。凡是不注日期的引用文件,其必威体育精装版版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1551硅单晶电阻率测定方法 GB/T 282 1计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 29054 太阳能级铸造多晶硅块 SEMI MF1535用微波反射非接触光电导衰减方法测试硅晶片载流子复合寿命的方法 3术语和定义 GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3. 1 密集线痕 dense saw mark 硅块切割时,在硅片表面留下的密集型划痕。 4外形尺寸分类 太阳电池用多晶硅片的规格系列见表1,在表1中未列出的尺寸规格要求由供需双方协商。 表 1太阳电池用多晶硅片规格系列 外形尺寸/ mm 125X125 156X156 160 180 硅片厚度/pm 200 220

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