制绒清洗工艺文件TNSC01.docVIP

江西天能电力股份有限公司 文件名称：156多晶硅片绒面制备工艺 文件编号： 版本：TNSC-01: 编制部门：技术部 生效日期： 页数： 1.标题 156mm*156mm多晶硅片绒面制备和清洗甩干工艺。 2.目的 2.1清洗多晶硅片表面油污和损伤层、氧化层的去除。 2.2在多晶硅片表面制备一个反射率较低的织构表面。 3.适用范围 适用于无锡市瑞能科技有限公司DUZQJ-9000型多晶硅制绒清洗机及QSJ-03型清洗甩干机。 多晶硅片绒面制备(硅片型号：156mm*156mm) 4.定义 多晶硅在去清洗腐蚀后，目视硅片表面呈均匀的灰黑色，没有明显的斑点，多晶晶界不明显。显微镜下，绒面形貌均匀，硅片表面无明显台阶。 5.职责 5.1所有操作人员都必须严格按照本文件进行操作； 5.2在操作过程中遇到问题应及时向相关技术人员反应，相关技术员及时提供帮助。 6.内容 6.1插片 6.1.1 合格的多晶硅片 6.1. 片架（小花蓝） 清洗花篮 美工刀 6.1. 6.1.3.1 6.1.3.2准备好片架、 6.1.3.3 6.1.3.4 6.1.3.5 6.1. 6.1.3.7 6.1.3.8将片架放入清洗花篮中每个清洗花篮中放置3×4个插片后的片架。 6.1.3.8 1.每个片架最多可以插片25片。插片过程中对硅片进行检验，不合格硅片挑出。每装100片硅片需要更换一次手套，如装片过程中手套破损需及时更换。 ——问题：每装100片硅片需要更换一次手套，核实数量！ 2.插片处打开包装箱拿取硅片时，遵循少量多次的原则，不允许一次拿过量的硅片。 3.插片时，手中拿的硅片数量在50-100片。 4.确保没有缺陷片流出。 5.确认在单个片槽内没有双片现象；各项数据的准确性和完整性。 装片过程中需及时将碎片、裂纹片以及其它与检验标准 不相符合的硅片挑出，并做好记录。 6.2腐蚀清洗 6.2.1 打开氮气阀门、压缩空气阀门、纯水阀门，打开总电源→PLC电源→各分电源 6.2.2 6.2.2.1确认 6.2.2.2确认各槽清洗状态正常，各槽内按工艺条件正确配液，见《清洗配液作业指导书》 6.2.2.3 6.2.2.4确认各槽控制系统工作正常，程序准确，参数 6.2.2.5 6.2. 6.2.2.1关机前先把水及药 6.2.2.2关闭各分电源→PLC电源→总电源→氮气、压缩空气、 6.2.4工艺过程 酸腐蚀制绒：8槽清洗机中的第1槽，工作温度10℃±1℃，时间120±10sec（时间长短根据硅片减薄量控制，156硅片减薄量控制在每片0.45～0.55g。槽液配方见附表。 漂洗/喷淋：8槽清洗机中的第2槽，时间120sec。 KOH碱洗：8槽清洗机中的第3槽，KOH百分浓度2.4%，时间6～12sec。 漂洗：8槽清洗机中的第4槽，时间120。 HCl酸洗：8槽清洗机中的第5槽，HCl百分浓度5～10%，时间180～sec。 漂洗：8槽清洗机中的第6、7槽，120～sec。 喷淋：8槽清洗机中的第8槽，～sec。 6.2.5工艺说明 6.2.5.1表面绒面均匀、无亮块、无白斑（干燥硅片在日光灯或聚光灯下检查）。 6.2.5.2去除厚度要求：硅片腐蚀去除厚度范围7.7～9.4μm，以8～9.1μm（0.47～0.53g/片）为宜。 6.2.5.3工艺条件见附表2 6.2.5.4 八槽清洗机的1、3、5槽需要经常补液，补液有消耗性补液和液面高度不足补液两种，———————————— 6.清洗工序制绒质量异常处理见附表3 7.硅片去除厚度及重量与消耗HNO3之间的关系见附表5 8.4.1超声清洗工艺条件见附表 补液 前清洗补液 1 制绒补液： 1-1 消耗性补液： 1-1-1 补液配方： 硝酸:氢氟酸＝1:2.35（体积比），即10升硝酸加23.5升氢氟酸 1-1-2 制绒补液时间和量： 每做300片156硅片后补液一次，1.61L；或者加入硝酸0.48L和氢氟酸1.13L。 液面高度不足补液： 液面不足时添加原始制绒液，即硝酸:氢氟酸: 水＝5:1:3.4（体积比） 1-3 槽液寿命：1万片（暂定） 2 KOH补液： 配方：45%KOH 补液时间和量：每做2000片补液一次，每次加入0.2升45%KOH。 槽液寿命：1万片（暂定） 3 HCl补液： 配方：37%盐酸 补液时间和量：每做2000片补液一次，每次加入1升37%盐酸。 槽液寿命：1万片（暂定） 后清洗补液 配方：49%氢氟酸 槽液寿命：1万片（暂定） 6.2. 1操作时，必须按酸、碱清洗要求穿戴好相关的个人防护用品。 2定时检查各槽内的实际温度，温度要在正确范围内，否则汇报工序负责人解决。 3每一批抽一片观察绒面，发现异