一种电场调制载流子存储槽栅双极型晶体管.pdfVIP

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2019-05-25 发布于天津
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一种电场调制载流子存储槽栅双极型晶体管.pdf

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第卷第期微电子学 , 47 5 Vol.47 No.5 年月 2017 10 Microelectronics Oct.2017 췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍 一种电场调制载流子存储槽栅双极型晶体管 , , 杨大力汪志刚樊冬冬 ( , ) 西南交通大学信息科学与技术学院 MCU联合实验室成都 610031 : ( )。摘要提出了一种性能优良的电场调制载流子存储槽栅双极型晶体管结合电场调 CSTBT , ( ) , , 制原理在器件的载流子存储层引入掺杂条改善器件栅极下方氧化硅拐角处的电场分布 CS P , 。 , 防止器件提前发生雪崩击穿提高了器件的击穿电压器件处于关断状态时内部大量的空穴载流 , , 子通过层中未完全耗尽的掺杂条到达发射极抑制了层阻挡空穴的作用有效提高了器 CS P CS 。 , , 件的关断速度与传统CSTBT器件相比改进器件的击穿电压值提高了379V 关断时间缩短了 , 。 19.1% 器件性能大幅提高 : ; ; ; ; 关键词载流子存储槽栅双极型晶体管电场调制电场分布击穿电压关断时间中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) TN322 A 1004-3365201705-0710-04 AnElectricFieldModulationCarrierStoraeTrenchBiolarTransistor g p , , YANGDaliWANGZhian FANDondon g g g g ( , , , , ) MCUJointLab. Schoolo InormationSciencea