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双端口存储器原理实验心得 　　三、接线　　1.固定接线　　RS_BUS#接+5V，禁止寄存器堆RF向DBUS送数。　　IAR_BUS#接+5V，禁止中断地址寄存器IAR向DBUS送数。　　ALU_BUS接GND，禁止运算器ALU向DBUS输出数据。　　AR1_INC接GND，禁止地址寄存器进行AR1+1→AR1操作。　　M3接+5V，使地址寄存器AR2从DBUS取得地址数据。　　2.其他控制信号线　　SW_BUS#接K0；　　CEL接K1；　　LRW接K2；　　CER、LDIR接K3；　　LDAR1接K4；　　LDAR2接K5。　　四、设置功能开关　　1.先置开关DB=0，DZ=0，DP=1，使系统处于单拍状态　　2.先将IR/DBUS开关拨到DBUS位置；　　3.先将AR1/AR2开关拨到AR1位置；　　五．实验操作演示　　1.使用左端口，向某一存储单元写入数据。　　1)将地址06H写入AR1　　a)置SW_BUS#=0；CEL#=1。　　b)按下实验台上电源开关，接通电源。　　c)按下复位按钮CLR#。　　d)置开关SW7~SW0为B，此数据加至DBUS。　　e)置LDAR1=1；LDAR2=0。按QD按钮，则　　将DBUS的数据打入AR1，加至左端口的地址线上。此时左端口地　　址指示灯显示B。　　2)将数据80H写入　　a)先后置LRW=0；CEL#=0；LDAR1　　=0；SW_BUS#=0；　　b)置开关SW7~SW0为B，按QD按钮，　　则将DBUS的数据写入06H单元。　　2.使用左端口，从某一存储单元读数据。　　1)将地址06H写入AR1　　2)读数据　　a)先后置sw_bus#=1；　　Lrw=1；　　Cel#=0；；　　Ldar1=0；　　b)按qd按钮，读出的数据送至dbus，dbus的数据指示灯显示　　B。　　3.使用右端口，从某一存储单元读数据写入IR　　1)将地址06H写入AR2　　a)先后置CEL#=1；　　SW_BUS#(K0)=0;　　LDAR2(K5)=1。　　b)置开关SW7~SW0为B，按QD按钮，将DBUS的　　数据打入AR2。此时右端口的地址指示灯显示B。　　2)从右端读数据　　置CER=1；　　及LDIR=1。　　按QD按钮。从右端口读出数据并写入指令寄存器IR，IR数据指示灯上显示B。　　4.双端口RAMde并行读写冲突测试　　置CEL#=0且CER=1，使双端口RAM左、右端口同时被选中。当AR1和AR2的地址不相同时，没有访问冲突；地址相同时，若都是读出操作，也不冲突。　　如果左右端口地址相同，且一个进行读操作、另一个进行写操作，则发生冲突。要检测冲突，可用示波器或逻辑笔测试BUSYL和BUSYR插孔。发生冲突时，BUSY为0。　　六、实验注意事项　　1.数据总线dbus在任一时刻，只能有一个数据源向它输出。本实验中手动控　　制信号sw_bus#、cel#严禁同时为0，否则将损坏集成电路芯片！！　　2.使用左端口，向某一存储单元写入数据。当将地址写入ar1后，应置ldar1　　=0，避免写数据时，数据同时进入ar1，改变ar1的内容。　　七、实验心得体会　　1.要掌握实验原理，不能只是照着资料上的步骤连接。　　2.要正确理解实验步骤，在实验箱上正确操作。　　3.应该大胆的实验，相信自己。　　华中科技大学实验报告　　实验名称双端口存储器原理实验成绩　　实验日期第2次试验指导老师陈国平　　专业计科班号组别　　学生姓名同组学生　　一、实验目的　　1.了解双端口静态存储器IDT7132的工作特性及其使用方法2.了解半导体存储器怎样存储和读取数据。　　3.了解双端口存储器怎样并行读写，并分析冲突产生的情况。　　二、实验电路　　图双端口存储器实验电路图　　图示出了双端口存储器的实验电路图。这里使用一片IDT7132，两个端口的地址输入A8－A10引脚接地，因此实际使用的存储容量为256字节。左端　　口的数据输出接数据总线DBUS，右端口的数据输出端接指令总线IBUS。　　IDT7132有六个控制引脚：CEL#、LR/W#、OEL#、CER#、RR/W#、OER#。CEL#、LR/W#、OEL#控制左端口读、写操作；CER#、RR/W#、OER#控制右端口的读写操作。CEL#为左端口选择引脚，低电平有效；当CEL#＝1时，禁止对左端口的读、写操作。LR/W#控制对左端口的读写。当LR/W#=1时，左端口进行读操作；LR/W#＝0时，左端口进行写操作。OEL#的作用等同于三态门，当OEL#＝0时，允许左端口读出的数据送到数据总线DBU