课件：第二章晶体管.ppt

+5V 例3:图中管子的?=100，RB=50K?, Rc=1K?,管子工作在什么状态？此时VCE=? RB多大时，管子工作在放大状态？ 解：be结加正偏，管子导通，故其工作在放大或饱和。 管子工作在饱和状态; VCE= 0.3v 管子工作在饱和状态 VCE不能为负，管子工作在饱和状态 要使管子工作在放大状态，需减小IB即增大RB。 输出特性 例： ?=50， VCC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当VBB = -2V，2V，5V时， 晶体管分别工作在哪个区？ 当VBB =-2V时：BE结反偏 IC VCE IB VCC RB VBB C B E RC VBE IB=0 ， IC=0 最大饱和电流ICmax ： 管子工作在截止区 VBB =2V时： BE结正偏 IC ICmax (=2mA) ， 管子工作在放大区。 IC UCE IB VCC RB VBB C B E RC VBE VBB =5V时： BE结正偏 管子工作在饱和区，此时IC 和IB 已不是 ? 倍的关系。 返回 作业 2.1.2 2.1.3 2.1.6 2.1.7(a、c、e） 2.1.8 2.1.15 思考： 2.1.10 2.1.11 2.1.14 THANK YOU SUCCESS * * 可编辑 《通信电路原理》(2000.9~2000.12) 以输入电压 或电流 为参变量，集电极电流 (输出电流)随 (输出电压)的变化曲线为共发射极输出特性曲线 以输入电压为参变量时： 以输入电流为参变量时： 2.1.2晶体管的静态特性曲线 二.共射输出特性曲线 2.1.2晶体管的静态特性曲线 输出特性 iC(mA ) 1 2 3 4 vCE(V) 3 6 9 12 iB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足iC=??iB称为线性区（放大区）。 当vCE大于一定的数值时，iC只与iB有关，iC=??iB。 试验电路 特点 二.共射输出特性曲线 iC(mA ) 1 2 3 4 vCE(V) 3 6 9 12 iB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中vCE?vBE,集电结正偏，??iBiC， vCE较小,称为饱和区。 例3 特点 2.1.2晶体管的静态特性曲线 二.共射输出特性曲线 vCE=vBE 2.1.2晶体管的静态特性曲线 iC(mA ) 1 2 3 4 vCE(V) 3 6 9 12 iB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : iB≤0, iC≤ICEO, vBE 死区电压，称为截止区。 特点 二.共射输出特性曲线 THANK YOU SUCCESS * * 可编辑 （1）放大区：发射结正偏，集电结反偏。 输出特性三个工作区域的特点: (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：vCE?vBE ， ??iBiC，vCE?0.3V (3) 截止区： vBE 死区电压， iB≤0 ， iC≤ICEO ?0 输出特性 即： , 且 ?IC = ? ? IB 2.1.2晶体管的静态特性曲线 二.共射输出特性曲线 2.1.2晶体管的静态特性曲线 二.共射输出特性曲线 考虑到基区宽度调制效应和集电结反向击穿效应，输出特性如下： 2.1.2晶体管的静态特性曲线 二.共射输出特性曲线 输出特性斜率的倒数为晶体管的输出电阻： 关于 和 的关系 关于晶体管的反向应用 二.共射输出特性曲线 2.1.2晶体管的静态特性曲线 与二极管的伏安特性曲线类似，如果保持输入电流不变，当温度升高时，晶体管的输入特性曲线左移。 第一节 双极型晶体管 2.1.3 温度对晶体管特性的影响 (v) iB (μA) 100 80 60 40 20 0 0.4 0.7 vBE 0o 10o 不同温度下的输入特性曲线 100o 与二极管伏安特性曲线类似，温度升高时，反向饱和电流和反向穿透电流亦升高。 温度升高时， 值增大. 第一节 双极型晶体管 2.1.3 温度对晶体管特性的影响 }30μA }20μA }10μA — 25度； 45度 iB相同 不同温度下的输出特性曲线 （mA） iC VCE } 0μA 1、共发射极 直流电流放大倍数 第一节 双极型晶体管 2.1.4 晶体管的主要参数 一.电流放大系数 交流（短路）电流放大系数 2.1.4晶体管的主要参数 1、共发射极 一.电流放大系数 手册中常用hfe表示。 例：VCE=6V时：iB = 40 ?A, iC =1.5 mA；