硅片上电镀铅锡合金工艺.pdfVIP

维普资讯 DiodeDesign 硅片上 电镀铅锡合金工艺 杨 红玉 ，朱 国飞 (I．杭州武林机器厂 ，浙江 杭州 3III()()；2．浙江缙云 四方电子有 限公司，浙江 缙云 32I400) 摘要 ：介绍 了硅片上 电镀铅锡 合金工艺，并对镀液 巾各成分 的作用及影响镀层质量 的因素进行 了探讨 。 关键 词 ：铅 锡 合 金 ；硅 片 ； 电镀 中图分类号 ：TN305．1 文献标识码 ：A 文章编号 ：1003-353X(2002)08-0068-03 A new processofelectroplatingPb—Sn alloyon silicon chip YANG Hong-yu ， ZHU Guo-fei (1．WuLinMechanicalWorks，Hangzhou 3111O0 ：2．SiFangElectronLtd，Jinyun，Zhejiang 321400，China) Abstract：A new technologyofelectroplatingPb—SnalloyonthesiliconchipWaSdeveloped Theeffectsonvariouscomponentsoftheliquidwerediscussed． K ey w ords： Pb-Snalloy： silicon chip： electrOplating 2．1 工艺条件 1 引言 先将硅片放入 5％的KOH溶液 中煮沸 3min， 众所周知 ，硅为半导体材料 ，不通过特殊 处 再用去离子水冲洗至pH 在 8～9之 间进行预处理， 理 ，导 电性 差 ，且 其 脆性 大 ，它 无法 用 线 切 割 、 然 后 按 以下工 艺 条件 进行 。 冲压等普通方法把大硅 片切割成 小硅 片 。而大 电 (1)化 学镀 镍 流 的二极管 、可控 硅 的芯片 一般 是使 用套 圆法 把 氯化镍 (NiC1 ·6H O) 30g／L 它切 割 出来 的 。因小 管芯 直 径 小 ，套 圆效 率低 ， 氯化铵 (NHC1) 50g／L 所 以，传统 的小 电流二极管 的芯片都是用 点腐蚀 次亚磷 酸钠 (Nali，PO，·H，0) 10g／L 方法把大硅 片腐蚀成 小管芯 。 由于手工 点 的不均 柠檬酸三铵 ((NH )cH O ) 65g／L 匀 ，且 点与 点之 间必须 留有一定 的间隙，使腐蚀 pH 8～ 9 出的管 芯大 小不 一 、 台面形状 各 异 ， 因而造成 硅 温度 90～98℃ 片利 用 率不 高 ，管 芯 质 量 不稳 定 等 问题 。