数字集成电路_课件8.pptVIP

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2019-01-26 发布于浙江
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数字集成电路_课件8.ppt

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第八章半导体存储器设计 8.1 绪论 8.2 MOS译码器 8.3 静态RAM单元设计 8.4 SRAM列I/O电路 8.5 存储器体系结构 8.6 内容寻址存储器 8.7 现场可编程门阵列 8.8 动态读/写存储器 8.9 只读存储器 8.10 其他存储器 8.1 绪论大多数大型存储器的首选结构：随机存取结构存储器的各个位置可随机顺序按一个固定的速率进行存取，而存取的速率与其物理位置无关存储阵列由简单的单元电路组成，这些单元电路排列起来以共享水平行和竖直列的连接。水平方向上只被存储器阵列外部所驱动的线叫字线竖直方向上数据流入和流出单元的线叫位线存储器系统的结构存储器设计的总体结构存储器类型读/写存储器读写随机存取存储器（RAM）静态RAM（SRAM）动态RAM（DRAM）内容寻址存储器（CAM）非易失性存储器只读存储器（ROM）可编程只读存储器（PROM）可擦除可编程只读存储器（EPROM）电可擦除可编程只读存储器（E2PROM） Flash存储器基于铁电材料的存储器（FRAM）随机存取存储器时序参数 8.2 MOS译码器 8.2 MOS译码器预译码器结构 6位地址的两级译码器结构用逻辑强度的方法确定译码器尺寸 8.3 静态RAM单元设计基本的SRAM单元和电压传输特性六管（6T） SRAM 单元字线和双位线结构 6T SRAM 的读操作 6T SRAM 的写操作 8.4 SRAM列I/O电路地址转变探测电路列译码和多路选择写驱动器电路基本的读电路 8.5 存储器体系结构 8.6 内容寻址存储器内容寻址存储器（CAM）也叫相联存储器通过使用关键词和存储的标签相匹配从而对标签相关联的数据进行定位常用来建造高度关联的cache（高速缓冲）存储器相联存储器查询机制 CAM查询阵列的排列 CAM单元的原理图 CAM和SRAM阵列的结构图 8.7 现场可编程门阵列现场可编程门阵列（FPGA） SRAM编程反熔丝编程 FPGA是一个独立的可编程的逻辑器件，可以迅速实现一个复杂的逻辑系统 FPGA芯片的总体结构岛状的FPGA体系结构基本的可编程 3-LUT（查询表） 3-LUT的编程可编程的连接 FPGA的I/O缓冲 8.8 动态读/写存储器去掉了上拉器件的静态RAM单元三管（3T）DRAM单元单管（1T）DRAM单元 1T DRAM 阵列结构 64Kb DRAM框图 8.9 只读存储器基本ROM单元不同的ROM阵列结构 8.10 其他存储器 EPROM单元结构 EPROM的写/擦除过程 E2PROM 2T结构写/擦除操作的E2PROM阵列结构 E2PROM读操作或非门Flash存储器结构或非门Flash存储器的写/擦除操作或非门Flash存储器的读操作与非门Flash阵列 FRAM单元和极化特性 * * *