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5-3-4. IMP : Implantation（注入） : Mechanical Source Injection 机械性的原料注入 5.半导体制造 6. 晶体管 Chip 芯片 Wire 金线 lead frame 引线框架 Mold 塑封 6-1. 晶体管的构造 Collector Base Emitter Collector Base Emitter 6-1-1. 结构 6-1-2. 结构 (垂直) 6-1-3. 符号 Emitter Base Collector Emitter Base Collector NPN TR PNP TR 6-2. 晶体管的符号 6.晶体管 放大 开关 6-3. 晶体管的功能 6.晶体管 半导体元件最重要的功能是放大(Amplification)和开关(Switching) 最大Ic电流 Icmax Emitter-Base间击穿电压, Collector 开路 VEBO Collector-Emitter 饱和电压 VCE(sat) Collector-Emitter 间击穿电压, Base 开路 VCEO 直流电流放大系数，共射极 hFE Collector-Base 间击穿电压, Emitter 开路 VCBO 描 述 符号 6-4. 晶体管的特性 6.晶体管 6-5. 晶体管制造 6.晶体管 K1475 K1474 K1518 K1336 K1311 K1310 K1517 K1335 PNP NPN 我公司（KEC-C）首先投入品种 Wafer 图 例 步 骤 Thickness（厚度） =630um N Type 6.晶体管 例：K1335 制造流程 Initial Oxide 初始氧化 Epi 生长 图 例 步 骤 Epi Layer Epi Layer SiO2=10000? Light Doped Layer 轻掺杂层 tEPI=12um 6.晶体管 Imp Oxide Base PEP 图 例 步 骤 Base Window SiO2=1000? 6.晶体管 * 半导体制造教育材料 KEC-C 技术部 1. 什么是半导体 2. 半导体的理论 3.半导体的历史 4.半导体的功能 5.半导体的制造 6. 晶体管 7. 封装 8. 芯片图样 内 容 ⊙ 开关闭合 ? 灯亮 = 开关闭合后有电流流过 = 金属线是导体 ⊙ 开关闭合 ? 灯不亮 ???? = 开关闭合后没有电流流过 ???? = 玻璃是绝缘体 ⊙ 开关闭合 ? 灯 ？ = 取决与有无电流 = (温度, 光照强度,半导体的掺杂, ...) 1-1. 实验 1. 什么是半导体 半导体的电导率介于导体和绝缘体之间 半导体的电导率随着热度，光照和掺杂等因素而变化 所以它有时候是导体，有时候是绝缘体。 导体 + 绝缘体 ? 半导体 半导体的电导率通过加入少量的不同元素就能很容易的被控制，这就叫掺杂。 1-2. 定义 1. 什么是半导体 物质的分类有很多种方法 其中一种分类方法是按照它们的电导率来分 有以下三个范围： 1. 导体（金属）— 当提供一定电压时会有很多电流通过. 2. 半导体 — 当提供一定电压时会有少量电流通过 3. 绝缘体 — 当提供一定电压时没有电流通过 1. 什么是半导体 1-3. 物质的分类 物质的电导率取决于物质的电子结构。一般情况下，电子是围绕原子核运行的，只有摆脱原子核的束缚，形成自由电子时，才会形成电流。 1. 导体 : 有许多自由电子，如：铝 (Al) (FIG 2-1a) 2. 半导体 : 有少量自由电子，如：硅 (Si) (FIG 2-1b) 3. 绝缘体 : 没有自由电子，如：二氧化硅 (SiO2) (FIG 2-1c) Al+++ Al+++ Al+++ Al+++ Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si O O O Fig 2-1a Fig 2-1b Fig 2-1c 2. 半导体的理论 2-1. 结合模型 2. 半导体的理论 ：B 硼(boron), Si 硅(silicon), Ge 锗(germanium), As 砷(arsenic), Sb 锑(antimony),Tb 铽(terbium), Po 钋(polonium), At 砹(astatine) Si core Si core Si core Si core Si core Si core 2. 半导体的理论 原子模型 　 　 ??? Silicon Atomic Model（硅的原子模型） ??? Silico