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高效的汽车充电桩方案-96%以上
PFC + LLC 原理图效率测试 TPH3006PS
TPH3206PS
TPH3002PS
TPH3202PS
TPH3205WS
TPH3206LD
TPH3202LD
功率需求：1000W—3000W
电路结构：PFC + LLC(半桥或全桥)
传统方案：
整流桥整流，双Boost PFC, 如下图
AC
损耗源：1，整流流桥VF损耗，2，采用双电感，3，硅MOSFET的开关损耗。
正常1000W，整流桥就浪费掉30-40W
全新的方案采用的Transphorm公司的氮化镓
器件，利用其高频特性，超低开关损耗及超
快的体内二极管特性，成功地引入无桥PFC
方案。
只需要个电感，无需整流桥，将PFC效率大
大提高。1000W效率在99.4%左右，成本及
体积大大变小
LLC部分，同样利用氮化镓器件。利用其氮
化镓材质的超低Co电容，将死区时间控制到
最小，这样极大地节省了损耗
硅材料FET 氮化镓
硬开关电路上的Vds开关损耗对比，氮化镓有明显优势（与Qgd电容有关）
但LLC是软开关，这部分电路上损耗几乎一样。
氮化镓FET与Cool‐Mosfet对比
等同Rds(on)对比,相同条件 Cool mosfet 氮化镓FET
Parameters IPA60R160C6 TPH3006PS
⁰
Static VDS 600V @ 25 C 600V (spike
rating 750V)
⁰
RDS (25 C) 0.14/0.16 ohm 0.15/0.18 ohm
Qg 75 nC 6.2 nC 更低的驱动损耗100mA驱动电流即可
Qgd 38 nC 2.2nC 更低的米勒效应/更低的开关损耗
Dynamic Co(er) 66 pF [1] 56 pF [1]
Co(tr) 314 pF [1] 110 pF [1] 更小的死区时间
Reverse Qrr 8200 nC [2] 54 nC [3] 更小的反向恢复损耗
Operation trr 460 ns [2] 30 ns [3] 更小的反向恢复时间
Qg 门极驱动电流大小
Qgd 与工作的Vds 的开关波形有关。越小振荡越小，EMI更好
Co 电容越小，工作中的死区时间可以做到越小，损耗就会越低
Qrr 体内寄生二极管参数，越大表示发热越大.
氮化镓的反向恢复速度Trr只有30n,远小于Cool‐mos,所以对应的Qrr更小
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